[参考译文] LM74910-Q1：需要澄清有关 TVS 二极管选择的问题

尊敬的 Shiven：

感谢您的快速响应。

我不明白为什么不需要正电压钳位、因为在 ISO 7637-2中、我们有脉冲测试2a、3b 和5a、并且至少具有高达+75V 的正尖峰？

另一方面、从您提到的数据表中、至少我现在明白了 VDS = 40V 的 MOSFET 需要两个背靠背(而不是一个双向)的单向 TVS 的原因。 原因在于、这些单向 TVS 二极管不相同、它们是不同的(具有不同的特性)、如下图所示：

然而、我仍然不明白为什么 为正极侧选择 SMBJ33A 、其击穿电压为36.7V (最小值)、典型值为38.6V。 @25*C、可升至42.46V @125*C？

您能否详细说明一下？

由于价格原因和目标是超低 RDS (on)、我们愿意使用40V 的 MOSFET。 但是、 出于上述原因、我们似乎无法选择像 SMBJ33A 这样的 TVS 二极管。 改用 TVS3300会怎么样？

尊敬的 Shiven：

这是正确的、即使我们背对背地串联 TVS1800、正向电压最小值为0.25V、这仍然是34.25V.in 的最坏情况。

尽管我从未使用过 TINA TI、但现在我进行了快速学习、以使用分段线性曲线和两个 TVS3300 / TVS1800器件背对背对背使用负载突降脉冲发生器进行简单的仿真、如上图所示。 根据 ISO7637-2、负载突降脉冲测试发生器的内部电阻介于0.5和5欧姆之间。 即使我设置了最大值 电阻值为5欧姆、电压略高于40V (最大尖峰约为40.1V)。  

但是、如果将发生器的内部电阻设置为0.5欧姆、电压将上升到46-47V。

在我看来、如果您想遵守 ISO7637-2、则无法使用带40V VSD 的 MOSFET。 我是对的、还是漏掉了一些东西？

尊敬的 Shiven：

由于我不是汽车电源保护设计方面的专家、我非常感谢您的支持。

但是、我不理解您关于"如果在选择 TVS+时遇到问题、只需添加额定电压大于35V"的肖特基二极管。  单词"添加"是指用肖特基二极管替换 TVS +二极管、或者什么？  

我假设肖特基二极管的额定反向电压也低于40V。 但我找不到任何35V<VR<40V 范围内的汽车肖特基二极管、仅35V 或40V。

因此、我仍然难以知道如何在 遵守 ISO7637-2的同时使用 VSD=40V MOSFET。

请更具体地说明一下。  

尊敬的 Ferenc：

ISO7367-2具有大量脉冲、但我们尝试仅满足-150V (peak)瞬态脉冲1的要求、这种瞬态具有很高的能量、并且无法通过输入和输出电容器进行抑制。

为了满足该脉冲要求、我们使用 TVS、它钳位在负极侧、以保持控制器的安全以及 FET 的 VDS 的安全。 对于12V 系统和40V FET、我们尝试钳制(40V-16V)= 24V。 对于此 SMBJ18A 或 TVS1800正常工作。 我希望我们对此表示清楚。

下一个高能脉冲是负载突降脉冲、它是一个35V 的峰值、持续时间大于40ms、较常见的直流情况和 TVS 无法钳制该脉冲。 现在、为了解决该问题并保护下游负载、我们使用控制器的 OV 引脚并关闭 HGATE。

现在正如我之前所述、TVS+只是用来阻止电源路径。

二极管/TV+的额定值应足以承受而不会损坏。  

现在、我不确定您为什么假定肖特基的额定电压应低于40V。 您能帮助我理解吗？ 我们是否有误解？

此外,如果你 不同意 我的解释的任何部分,请随时 纠正我。

此致、

Shiven Dhir

尊敬的 Shiven：

最后一个有关 TVS 选择的问题。 在您嵌入作为第一个响应的页面中、SMBJ16A 建议用于 TVS-。

但是、在查看产品说明书时(参阅 Littlefuse、STMicro、Microchip 或 Nexperia)、最大值 SMBJ16A 的钳位电压为26V >24V。

这样仍然可以吗？

此致、

Ferenc