[参考译文] UCC28C55-Q1：Webench 设计未正确启动28C55器件

感谢 Assist Hong。

这是 SCH 部分的问题...

e2e.ti.com/.../ti-e2e-SCH-snip-upload-_5F00_022025.pdf

当 Vdd (t)表现出振荡行为时、COMP 引脚以相同的~74Hz 频率振荡。  与 Itart 问题相比、这似乎更像是不稳定(COMP 网络)问题。

我还没有尝试抬起芯片上的 FB 引脚来查看它对 Vdd 不稳定性的影响。  您能评论一下 Webench 和数据表设计之间相对于连接了 CVDD 和 RFB 的 ITart (CHIP-FB)到 VDD 节点间阻塞二极管的差值吗？

非常感谢您的支持。

纽约的-s

您好！

请在上电时与 COMP、CS 和 OUT 一起提供 VDD 波形。

此外、C22电容值是多少？

目前配置 RFB 值已被调整：Rfbt = 22K、Rpot = 2.2K、Rfbb = 3.9K (orig Webench 值)。  在 V(FB)= 2.5V 时----假设系统稳定、正在运行----这将导致 Vdd = 11.5V (Webench orig. 目标、基于14K、3.9K)。

在上述情况下、芯片无法启动、Vdd (t)随 COMP (t)显示振荡行为。

变压器 PRI 和 sec2已连接。  sec1已断开连接和套管。

e2e.ti.com/.../ti-e2e-signals-_5F00_022025_2D00_1.pdf

谢谢您、Hong。

纽约的-s

您好！

VDD 关断似乎没有意义、因为 VDD 通过 Rst2连接到24V 电源。 如果输入电压保持为24V、您是否可以检查24V 电源电流限制？

我很抱歉...要提到: 为了安全的新 PCBA 启动,我有24V 从工作台电源通过一个按钮开关连接。  接通电源~5秒、然后切断电源并检查示波器。  相信28C55能够正确启动、并且系统稳定且可预测、之后将持续供电(减去按钮高侧开关)。  很抱歉混淆。 纽约的-s

现在我专注于 FB 和 COMP 之间的补偿网络... C22, R22, C23 ..但尚未修改...等待进一步的指导。  谢谢你。 纽约的-s

您好！

当 VDD 上下浮动时、什么是 VREF 波形？

CS 波形显示出高尖峰。

C22电容值是多少？

C22 = 330nF。  R22 = 20k Ω。  C23 = 560pF。

在早期的 PDF 中添加了 VREF 波形。

e2e.ti.com/.../ti-e2e-signals-_5F00_022025_2D00_2.pdf

当电路板的 VDD 稳定上升时、VREF 将显示为稳定的5V。

我将设置为在示波器上查看 VDD 和 COMP、以观察哪种不稳定性可能首先发生。  COMP 不稳定性是否会在内部导致 VDD 不稳定性、反之亦然？

谢谢..

现在继续操作第二块电路板、减去变压器；最初只是故障排除启动、在成功启动后、我们应该可以在其中看到栅极驱动信号。  验证之后、我们可以引入 PRI 和 SEC2 (辅助)绕组。

纽约的-s

该第二个板具有一个与 Rstart1 + Rstart2并联的8.2K 欧姆电阻器、Rstart (total)~ 7.5K 欧姆。  

Istart =(24-8.4)/7.5K ~ 2000uA。  板上的所有其他器件如 SCH 中所示。

您好！

这显示 VREF 在0V 和5V 之间向上和向下变化。 当发生这种情况时、什么是 VDD？ 您能否在一张图中以同一时间标度绘制 VDD 和 VREF？

我需要看到波形之间的关系。

器件 VDD 降至~7.6V、然后 VREF 变为0V。

VDD 恢复至其启动电平、而 VREF 恢复至其5V 电平。

请参见右下角的最后两个示波器视图。

e2e.ti.com/.../ti-e2e-signals-_5F00_022025_2D00_3.pdf

我将第二个电路板带到了稳定点、并添加了另外两个示波器视图。  明天再来看看。  我真的很感谢您在帮助我完成这项工作时所付出的努力。 纽约的-s

e2e.ti.com/.../ti-e2e-signals-_5F00_022025_2D00_4.pdf

您好！

当 VDD 如下所示时、VREF、CS、COMP 和 OUT 是什么？

洪

昨天上传的范围视图,除了最后一组图像(右下角),所有的都被捕捉,而 Vdd(t)是不稳定的,显示锯齿模式... 8.4V ,到7.6V,到8.4V 等  在随附的中添加了注释、以阐明这一点。

e2e.ti.com/.../ti-e2e-signals-_5F00_022125_2D00_1.pdf

我对此有无数问题、但在您思考可能发生的事情时、我一直处于拖延状态；例如、  

1. 不稳定性？
2. 3)补偿网络调优(在 FB 和 COMP 引脚之间)？
3. 器件尝试启动时 Istart 电流源不足、然后是否运行？
4. 28C55是否需要或不需要连接变压器 PRI 和 sec2 (辅助)、以便在 OUT 引脚上开始生成 N 沟道栅极驱动信号？

谢谢你。 纽约的-s

请尝试并使用此更新...我只有2ch 范围。  VDD (t)对于所有图是通用的(供参考)。  如果你需要我,我可以开始处理 CSV 文件,并将它们全部整合到电子表格中,但这不是我正在关注的任务。  我也可以进行一系列的 PNG 叠加、其精度会稍微降低。

e2e.ti.com/.../ti-e2e-28c55-signals-_5F00_022125_2D00_2.pdf

谢谢你。  纽约的-s

您好！

无需编写 CSV 文件、因为我需要从您的新波形中进行选择。

这是下面的、顶部 VDD 和 VREF 以及底部 VDD 和 VREF 放大了、对吧？

D12是齐纳二极管吗？ 它的器件型号是什么？

您好、Hong：

一些更新...第一, 18V 齐纳..这是从 Webench 设计,完整的(多 pp 的 PDF)包含在这个支持接近开始.. A Diodes Inc. MMSZ5248B-7-F .

请查看这组更新、尤其是第2页上的测试条件/设置要点。

e2e.ti.com/.../ti-e2e-28c55-signals-_5F00_022125_2D00_3.pdf

我们正在获得它;-)

我的下一步...恢复 N 沟道栅极驱动路径中的 Rdrv、重新运行 VDD、输出布线...我可以放置一个轻负载来代替 PRI 绕组、并确保 MOSFET 正确导通和关断。  想法？

感谢您的努力！

纽约的-s

您好！

我不了解您测试的是什么电路-连接了哪个电路、不连接哪个电路？ 在 Pri 的位置、轻负载是什么意思？  

反激式变压器当前未连接。

恢复 Rdrv (栅极驱动)电阻器后、将评估28C55-out 的 N 沟道栅极驱动；然而、MOSFET 漏极处未连接负载。  我建议在连接变压器初级侧之前采用一个步骤；例如、在 VIN 和 N 沟道漏极之间使用一个电阻器。

后退一步： 我观察到 f (OSC)远低于预期...几乎比预期的127kHz 低一个数量级。  RT 和 CT 电路内测量值显示分别为~8.6K 和~14nF。  I 拉取了 CT、测量值为0.97nF；足够接近1nF。  空 CT 焊盘位置测量值为~13nF。  移除 Rt 后、CT 焊盘位置处测量的电容从13nF 变为0.05nF。  然后、电容通过 Rt 从 VREF 网络耦合到 RtCt 网络。  这就是我目前在寻找的东西。

在示波器上、VREF 看上去很稳定。

感谢您的帮助。

纽约的-s  

有。  在我上传的文件中、ti e2e 28c55信号_022125-3、PDF p.1、示波器上的 f (out)测量值为6.75kHz。  这应该得到 f (OSC)~ 13.5kHz。  设计目标、f (OSC)= 127kHz。  PCB 上 CT 器件的测量值为~14nF。  慢慢地将其缩小至误差源13nF、该误差源太高、不能被视为"托盘"电容。

在开始使用起作用的 OUT (栅极驱动)信号检查 N 沟道 MOSFET 开关操作时、关于替代 PRI (电阻负载)的另一个讨论是13nF 故障排除后、此时我们应该得到 Rt=8.66K Ω 且 CT = 1nF。

纽约的-s

洪

我正在跟踪通过 Rt 反射到 CT 的 RtCt (引脚4)节点的杂散电容、电路内电容测量值在9到10nF 范围内。  f (OSC)和低频的实际范围测试表明 Rt*CT 计时电路中的净电容更高。  移除大 Webench 软启动电容器(220uF)后、这似乎是通过引脚4处的 Rt = 8.66K Ω 给 RtCt 节点出血的可能原因。  新电路内测量：1.03nF。

在示波器上、器件引脚4处的 f (OSC)仅为5.87kHz。  CT (电路内)确认为1.03nF。  目前、RT 是一个安装在测试中的通孔器件、8.02K Ω。  我当时期望 f (OSC)~ 133Khz 的量级。

在哪里可以更好地解决 RtCt 低频锯齿波形问题？  它将从0.6V 过渡到2.7V、我认为这是正确的。

感谢您的任何见解。 纽约的-s

我可能在示波器上一直在处理混叠问题。  目前、我看到 f (OSC)~ 200kHz 和 f (OUT)= 100kHz；Webench 目标为 f (SW)= 99kHz。  我已将 Istart 从7000uA 降低到4000uA、从而在断开变压器时帮助使用 Vdd。  应该插入到明天的变压器 PRI 和 sec2连接中。  您的呼叫离开此线程至成功250V 输出和加载、或者我可以返回一个新问题。  感谢您的帮助。 纽约的-s

Webench 设计使用220uF 的软启动电容器(C21)。  图的数据表参考设计 9-1使用330nF。  我发现这个大电容加重了启动,所以它被拉了。  根据您对 Webench 设计的看法、可以使用什么合理的软启动时间(或 CAP)？  谢谢您、Hong。 纽约的-s

洪

Webench 设计要求 VAUX 工作点为11.948V。  我的 Vdd 会一直达到~15V。  

Rfbt = 14k Ω。 Rfbb = 3.9K Ω。  V (FB)= 2.5V。  VDD ~11.5V？  但我始终看到它的充电电压高达15V。  多个上传图中都显示了这一点。  

理论上、当 Vdd 由于 SEC1 (HV 输出)负载而下降时、V (FB)< 2.5V、脉冲宽度(栅极驱动)增加以在变压器磁芯中存储更多能量。  由于负载到目前为止从~1%到10%、我从未见过 Vdd 受影响。  输出将上升至~250V、然后衰减；输出绝不会保持。  

那么、向前发展几步、向后发展几步。  感谢您提出宝贵的想法。 纽约的-s

针对这种24Vin / 250Vout 直流/直流设计、现实世界与 Webench 比较、其中 Vdd 趋稳更接近14V 电平。  接受这个11.948V 的 Webench Vdd 运行点的差异至关重要： I 重新算法了 Rfbb (在14.5Vdd 下)、v (sec2+)开始连续脉冲、结果 Vdd 稳定在14.5V。  

这导致了从 Istart 功率下的 Vdd 向 sec2 (辅助绕组)功率的实际转换。  在 V (HV)输出触发至~250V 之前、然后由于 v (sec2+)已关断、立即开始衰减、0V；V (FB)> 2.5V。  现在 v (sec2+)持续脉动、来自 SEC1绕组的 V (HV)会保持不变、现在达到302V。  线性关系在~20.9 (Vout/Vdd)时保持。

现在继续进行 V (HV)负载测试、同时观察 Vdd、out (栅极驱动)脉冲宽度和 v (sec2+)。

谢谢您、Hong。

纽约的-s

宏...栅极驱动、每隔一个周期、在高负载下、~49%的占空比、但交替周期都表现出栅极驱动脉冲的短暂(~0.4uS)跳跃。  窄驱动信号是否指示 PWM 控制器每隔一个周期关闭一次？  当 Vdd 未在高负载下调节时出现此问题、我重拳认为我们即将达到磁芯饱和。  有什么技巧可以帮助您更好地理解此栅极驱动模式？  谢谢。 纽约的-s