请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：TPS560430-Q1 工具与软件：
我们使用 TPS560430YQDBVRQ1直流/直流转换器、其输入电压为9V 至16V、输出电压为3、3V、输出电流为0、24A。 Fsw=2、1Meg。
我们在 NFA 测试(近场天线)中面临 EMC 问题、我们想评估增加的 与 Cboot 串联的 Rboot。
在以下应用手册中 、我们看到建议使用 Cboot 100nF 和 Rboot 75欧姆。 但我们想知道我们是否可以提高 Rboot 以及我们的限值是多少。 应用手册：
我们有以下问题：
1.- HS (高侧) MOSFET 的 Qg 是什么？
我们知道、使用 Qg 和 TSW 可以估算 Igate、这将是自举 电容器的放电电流。 并计算该 Tcharge 的时间。
例如 Qg = 5nC、Tsw=476、2ns->Tcharge = 47、6ns (考虑到 10%软件)
Igate=5nC/47、105mA
2.-自举 电容器是否具有除 HS MOSFET 的 Igate 外还需要考虑的另一个放电/漏电流
3.- Cboot 上可维持的最小电压是多少？
这意味着 MOSFET Vgs 电压阈值是多少？
4．－75欧姆 Rboot 是最大值？
我们如何计算出这个限值可能是多少？
5.-对于 Cboot、Rboot 的 ltspice 仿真、您有什么建议吗？
