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器件型号：LM74930-Q1 Thread 中讨论的其他器件： LM74930
工具与软件：
您好！
我使用 LM74930-Q1作为高侧开关(具有 OV、UV、OC 保护)、在测试期间、我发现电路板上有问题、在以下测试设置下、HGATE MOSFET 很容易损坏：
1、将外部直流电源与板连接、直流输入电压为48V
2、将电子负载连接到板的输出端、将电子负载设置为 CC 模式。
3、我将电子负载设置为从板的输出消耗500mA 电流。
4.开启电子负载
5、然后为外部直流电源上电、在电路板启动后、软件会将 M749030-Q1的 EN 引脚设置为高电平、以开启 HGATE MOSFET。
6、我发现 HGATE MOSFET 已损坏、MOSFET 的漏极和源极短路。
但是、如果我使用如下所示的不同测试序列进行测试设置、则电路正常工作、MOSFET 正常工作。
1、将外部直流电源与板连接、直流输入电压为48V
2、将电子负载连接到板的输出端、将电子负载设置为 CC 模式。
3、 接通外部直流电源、电路板启动后、软件会将 M749030-Q1的 EN 引脚设置为高电平、以开启 HGATE MOSFET。
4、 我将电子负载设置为从电路板的输出消耗500mA 电流。
5、开启电子负载、从电路板输出获取电流。
您能否帮助解释为什么在启动期间以最小负载损坏 HGATE MOSFET？
谢谢
