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器件型号：BQ76952 工具与软件：
您好！
我们正在尝试为高侧 MOSFET 架构堆叠两个 BQ76952 AFE。 在之前的通信(如下面的屏幕截图和链接所示)中、告知顶部 AFE 的 DSG 引脚将在短路情况下相对于其 VSS 被驱动为负电压、因为中的 DSG 跟随 LD 引脚。 因此、不建议由顶部 AFE 驱动放电 MOSFET。
(+) BQ76952：堆叠两个 IC -电源管理论坛-电源管理- TI E2E 支持论坛
但在这个新的参考设计中、放电 MOSFET 由顶部 AFE 的 DSG 引脚驱动。 我知道已经添加了许多其他组件。 您能否说明 DSG 和 LD 引脚如何驱动此处的放电 MOSFET、并在短路情况下受到负电压接触的保护。
