[参考译文] LM74930-Q1：有关 OVCLAMP、输出电容和 PWM 的问题

尊敬的 Shiven：

感谢您的回答。 好的、现在它已经清楚地说明了如何处理 OVCLAMP。 我在数据表中忽略了它...

如果我们执行 PWM OV 或 UV 引脚、是否存在差异？ 通过切换到 GND、UV 可能会更简单地进行控制。 此外、我们将获得故障信号。
如果我们执行 PWM 而不是使能、有什么缺点？
270µs 将会出现启动延迟、可能需要一些时间为自举电容器充电。 由于栅极电容较大(HGATE 上为2x 14nF)、我们将使用电容处的1µF。 但我不认为电容器会在 PWM 的关断相放电、或者它在低相会如何反应？

另一个主题是55µA 的低 H 栅充电电流。 仿真(使用55µA 对栅极充电)给我显示了1、5ms 的平坦时间。 如果我 在计算表中将其调整为22V/ms、SOA 评估看起来很好、最坏的情况下的裕度也是1.15。 我可以信任他们吗？或者我应该与 MOSFET 供应商核实吗？ 1、5ms 不是一个典型的小时间。

在工作表中的步骤4计算中还需要一个技巧。 该计算并不表明我们使用两个并联的 MOSFET、因此负载电流被分为这两个 MOSET。 因此我将负载电阻值加倍。

我使用的是  TI PSPICE 仿真器、它看起来像 Orcad。 是否值得使用此仿真器进行尝试？

此致、Harald

尊敬的 Shiven：

您能否解释一下如何更改  Cdv_dt (在实践中、而不是在 Excel 中)？ 我们没有额外的电容器连接到 HGATE、而是额外的电容器。 没有任何意义。

我假设计算中没有考虑 MOSFET 的栅极电荷、这是我不了解的。 如前所述、一个 MOSFET IPTC020N13NM6的总栅极电荷为14nF。

或者、我们如何加快切换时间以优化 SOA 裕量呢？ 额外的栅极驱动器？

我将检查具有较低栅极电荷的其他 MOSFET、但这会导致更大的 Rdson、从而导致更大的功率损耗。

此致、Harald

尊敬的 Shiven：

也许我发现了我的错误在 calc 表。

您也可以在软启动控制中选择"否"。 但这是正确的、只有 Crss 与计算相关吗？
在本例中、看起来一切正常。

此致、Harald

尊敬的 Shiven：

我不确定 Crss 是否是计算的正确值。

如果我使用 Crss、MOSFET 的容值大约为80pF、那么我可以在10µs 功率限制范围内的计算表中获得 SOA 限制。
正如我昨天讲过的、在使用55µA HGATE 电流仿真 MOSFET 的开关导通时、开关时间约为1ms。

您能否检查一下、Crss 的计算是否正确、或者我的仿真中出现了什么故障？

(在计算器中)。 我更改了环境温度、 因此没有温度校正、并且 SOA 可与数据表进行比较25°C。

此致、Harald

尊敬的 Herald：

Crss 是 MOSFET 的 CGD 值、它定义了 FET 的米勒平台区域。

如果不使用 cvd_dt、只有将影响米勒区域的电容为 Crss。

Crss 没有定义 FET 的总启动时间、这仍然主要由 Ciss 决定。

因此、您会看到1ms 的启动时间。

此致、

Shiven Dhir

尊敬的 Shiven：

否、我没有看到1ms 的启动时间。 我看到的是大约1ms 的开关时间(米勒平坦区的时间间隔)。 以及之前的额外1、5ms 启动延迟时间。

阈值时的栅极电荷在30V 时约为每个 MOSFET 22nC。 => 44nC / 55µA = 0、8ms

这就是我担心的。

我们将在几个星期内尝试它与硬件,但它将是好的,如果你可以检查钙。 工具。

此致、Harald

尊敬的 Shiven：

原因是55µA 的栅极驱动器电流非常低。

此致、Harald

尊敬的 Shiven：

LM74502H 没有用处。

我们需要 为高达135V 的电压提供过压保护(TVS 将限制250V 的原始脉冲)。 此外、还有一个长的100V 浪涌脉冲、而 TVS 无法限制。
我们的负载电流高达35A。 对于频率为某些 Hz 的慢速 PWM (由于功耗和 PCB 空间)、我们不需要额外的开关。
我们还需要反极性保护。
电流测量和短路保护也是必需的。

LM74930满足所有这些要求。

唯一的问题是由于55µA 栅极电流的原因缓慢导通时间。

从功能侧开始1ms 开通时间(平坦区)可以。 一些延迟。

这只是一个问题、它也适合 MOSFET 吗？ 我们可以信任 Excel 中的 SOA 计算吗？

此致、Harald