主题中讨论的其他器件： TPS25751
工具与软件：
大家好、我有一些关于从 EEPROM 和 i2c 加载 TPS26750以帮助完成系统启动过程的问题：
1.它在任何地方都能说明写入 EEPROM 的补丁捆绑包的大小是多少? DS 表示 EEPROM 需要至少36千字节、这意味着修补程序包必须 略低于144千位？
2.使用更大的 EEPROM 或者存储第3个或第4个 补丁捆绑包是否有任何好处？ 是否有办法让 TPS 从不同的 RegionStart 地址和偏移加载？
3.如果我要从我的外部主机 MCU 通过 i2ct 而不是 EEPROM 将补丁捆绑包加载到 TPS 中,那么该补丁捆绑包的大小是否相同~144 kbits ?
4. TPS 通过 i2cc 从 EEPROM 加载补丁捆绑包所需的时间与从 主机 MCU i2ct 加载补丁捆绑包所需的时间大致相同(在400k i2c 时可能小于半秒)?
5.一旦 TPS 从 EEPROM 成功加载补丁捆绑包并转换到 APP 模式,那么我的外部主机 MCU 是否有任何方法可以异步强制 TPS 转换回 PTCH 模式并等待新的捆绑包从 外部主机 MCU 通过 i2ct 发送? 在 rm 中有一个命令'GO2P'、听起来像此函数、但也提示仅适用于 NegotiateHighVoltage 引导模式。 在我的系统中、 我可能想要使用安全模式、并且我可以根据我的最终产品状态考虑我可能想要使用的几种不同的 TPS 配置。
6.参考通过 I2C 进行的 SLVAFL1 TPS25751和 TPS26750 EEPROM 更新：必须存在一个显示 TPS 启动过程外观的流程图、因为第2.1节看起来像某个人查看该流程图并 通过五个段落对其进行说明。 源引导过程流程图是否在任何地方提供以供查看？ 似乎存在一个逻辑不一致、这是为什么说在读取低电平区域时发生 CRC 错误、那么它不会读取高电平区域(然后做什么？)、但如果在读取高电平区域时发生 CRC 错误、那么它会尝试读取低电平区域。 此外、它还可以重复尝试读取不同的区域、但不清楚这是如何工作的。 如果只有一个流程图、就更容易理解了。
谢谢、Steve
