[参考译文] UCC27282：UCC27282

您好、Yoni：

我们的栅极驱动器可以驱动几乎任何 FET、因此 FET 的选择取决于您的系统需求。 从栅极驱动器的角度来看、您需要确保做出正确的 VDD 旁路电容器、自举电路、栅极电阻和高效布局。

本应用手册可以帮助使用自举电路： https://www.ti.com/lit/an/slua887a/slua887a.pdf

本应用手册可以帮助改善栅极电阻： https://www.ti.com/lit/ab/slla385a/slla385a.pdf

可在所有栅极驱动器的数据表中找到布局指南。

如果您有其他问题、敬请告知。

谢谢！
Rubas

您好、Yoni：

 选择栅极驱动器时、重要的 FET 参数如下：

VGS： 这用于确定栅极驱动器是否具有足够高的 VDD 规格来支持 FET VGS。 例如、如果您打算驱动-5V 至20V 的 FET (SiC/IGBT 常见)、那么最大 VDD 规格为20V 的驱动器将不足以驱动该 FET、因为您总共需要25V 的电压来驱动该 FET。
Qg： 这与您所需的上升/下降时间(.. t )以确定栅极驱动器是否具有足够高的峰值电流以支持 FET 开关速度。

您可以使用上述参数计算 FET 的等效电容(CEQ)、并查看栅极驱动器是否具有足够高的峰值电流(Ipk)：
1. CEQ =(Qg / Vgs)
2. Ipk = ceq *(Vgs /t)

此外、还应确保所选的栅极驱动器能够使用以下系统参数处理功率损耗：
VDD： 此电压用于为栅极驱动器供电并驱动 FET。
Fsw： 这是系统中 FET 的开关频率。
TA： 这是您在系统中预期的最高环境温度。
TJ： 这是所选栅极驱动器的最高结温(可在栅极驱动器数据表中找到)。
RθJA： 这是所选栅极驱动器的结至环境热阻(可在栅极驱动器数据表中找到)。

上述参数用于计算功率耗散、其中 Tj 不能超过栅极驱动器最大 Tj 规格：
1. P = Qg * VDD * Fsw
2.  Tj =(P * RθJA)+ Ta

谢谢！
Rubas