• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 1 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 67 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD87351ZQ5D：CSD87351Q5D/CSD87351ZQ5D

admin
Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD87351Q5D, CSD87351ZQ5D
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1489004/csd87351zq5d-csd87351q5d-csd87351zq5d

器件型号：CSD87351ZQ5D
主题中讨论的其他器件：CSD87351Q5D、

工具与软件：

您好！

我可以知道 CSD87351Q5D 和 CSD87351ZQ5D 之间有何差异吗？

看似可改善增强的 ESD 保护。

是否有适用于  CSD87351ZQ5D 的任何较新产品？ 谢谢！

Jeff

  • 0
    TI__Guru**** 2378650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Jeff、您好！

    感谢您关注 TI FET。 您正确地说、CSD87351ZQ5D 通过在高侧 FET 上集成栅极 ESD 二极管改进了 ESD 保护。 CSD8715Q5D 通过400V HBM 和2000V CDM。 相比之下、CSD87351ZQ5D 通过了1000V HBM 和2000V CDM。 两种器件的功率损耗和效率是相同的。 没有更新的器件可替代这些器件。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用