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[参考译文] TPS23730:关于 POE PD 应用问题 TPS23730

Guru**** 2493545 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1484340/tps23730-about-poe-pd-application-question-tps23730

器件型号:TPS23730

工具与软件:

尊敬的 TI 员工:

我们正在寻找合适的 PoE PD 解决方案。 您能帮助我们解决一些与应用相关的问题吗?

1. 为什么 PD 产品中的高侧和低侧热插拔存在区别? 有哪些优点和缺点?

2.关于 PoE 握手协议问题,如果连接到 PD 设备的外部显示器适配器和 PSE 电源适配器接地在一起,是否存在 PSE-PSE PD 握手失败的风险? 考虑因素涉及在 VSS 和 RTN 或 VDD 和 VBUS 之间进行热插拔切换。

3.如果 PD 侧没有用于将浪涌能量引导到接地端以进行耗散的外壳,并且大多数 PD 器件在没有这条接地路径的情况下进行隔离(进行隔离),如何抑制浪涌能量?

www.ti.com/.../slua736.pdf

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    尊敬的 WENYUNG:

    感谢您的咨询。 我们将查看您的问题、并在3-7个工作日内回复您。 感谢您的耐心。

    此致、

    Diang

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    您好、Wenyung:

    感谢您的耐心。  

    1.低侧热插拔可能会在噪声检测和分类期间在低侧具有更好的 CM 阻抗。  由于 PSE 的电流传感器也位于低侧、因此低侧热击穿可能具有更高的检测/分类精度。  低侧热插拔还可能具有更稳健的栅极驱动能力、因为它参考低侧接地、无需电压泵即可驱动高侧。  

    2.如果两个适配器均为非隔离式(或隔离不好)、并且隔离反激式适配器设计不当且耦合严重、则在握手过程中可能会存在风险。

    3.通过扼流圈和隔离上的高 CM 阻抗可以降低 CM 浪涌电流幅度。 Y-cap 有助于降低 CM 电流引起的电压尖峰。 DM 电流通常可通过直流链路电容器进行滤波、超过的能量可通过 TVS 二极管放电。

    此致、

    Diang   

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    亲爱的

    非常感谢您的解释。 在检测期间、热插拔 FET 断开连接、直到检测开始。 该拓扑如何提供共模干扰抗扰度? 我的意思是、在热插拔之前、所有电路都是相同的。  

    BR、

    Kuo

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    尊敬的 Kuo:

    感谢您的答复。

    在检测和分类时、热插拔处于关闭状态、但由于 FET 的体二极管、热插拔处于单向打开状态。 该二极管与整流器背对背、因此当低侧热插拔时、低侧阻抗较高。   

    此致、

    Diang