工具与软件：
您好、TI 专家！
我正在设计具有以下要求的双输出电源：
VIN：16...32VDC
Vout1、Iout1：隔离式、12.1VDC、300mA 最大值
Vout2、Iout2：隔离式、最大12、1VDC、300mA
高达1、5kV 的高压隔离。 我将使用 wuerth WE-IBTI 750342156请参阅原理图： 
数据表 T1及其连接： 
现在,随着讽刺的内部审查,我开始了路线板. 由于我有一个非常有限的空间,我正在努力与以下细节:
将 LM25183和 T1彼此靠近放置、这与 LM5180的评估板(此开关系列的一部分)类似、将链接此 
我正在将 LM 的开关节点引脚1连接到 T1引脚1并同时将 LM 的引脚3连接到 T1引脚8。 它们必须相互交叉、而后者需要使用第二层来实现： 
您好、Christian：
-保持初级侧和次级侧的开关环路尽可能短,对于低 EMI 非常重要,更好的调节,因为它可以避免布局寄生效应。 在开关环路中使用过孔会引入不是最佳的寄生电感。 话虽如此、我的第一个建议是寻找另一个 VIN 和 SW 引脚不同的变压器。 您可以以 EVM 中的750319029 (WE)为例
关于选择的底层,我总是建议将 IC 和变压器放置在同一层,同样的原因解释如下。 最后一种选项是、我们可以并联放置许多过孔(例如放置4个过孔)以减少寄生电感。
谢谢你
你好曼努埃尔,非常感谢你的答复和建议。 我需要做的是、在空间非常有限的方面、需要这种变压器以及布线/适当的 EMI 技术。 嗯、选择另一个变压器是一个不错的建议、但没有找到任何建议。 在必须连接两个次级绕组时、应如何使用750319029、以及如何在次级绕组之间也具有1.5kV 所需间隙时实现分离？ 该所选的 Transorfmer 还在 Excel 计算器中提供了出色的性能结果、涉及效率、功率与较低开关频率之间的关系、请参阅计算： 
我以很高的灵敏度放置 LM 及其元件并进行布线、使其位于 th 底层上尽可能靠近变压器 SW 和 VIN 引脚的正下方和最近的位置、并以相同的方式为 SW 从顶部到底使用四个过孔、具有低阻抗多边形和 VCC。 此外、我将一个10uF 电容直接放置在尽可能靠近 VCC 变压器引脚(绕组末端)的位置。 我认为这是我目前所能做的最好的事情。
我希望能够帮助找到另一个变压器以实现更好的放置和布线可能性或轴向、如何使用具有两个二次绕组的变压器、它们通常并联使用以实现彼此分离的更高输出电流...
提前感谢。
