[参考译文] LM5123-Q1：申请布局设计审核

Jeffrey、您好！

以下是我对布局的评论：

请以宽连接方式(靠近 LO 引脚)将顶层的 PGND 多边形直接连接到 PGND 引脚
也许把它移到 VCC 电容器旁边、腾出一些空间。

LO 和低侧 FET 源极与 PGND 引脚(引脚10)之间的连接应像差分对一样进行布线。
此外、HO 和 SW 应像差分对一样布线。
相邻的层上或相邻的层上直接相互重叠。

将 C13和 C14移至靠近高侧 FET 源极的位置。
对于较大的陶瓷电容器也是如此。

使用更多过孔将顶层的 GND 多边形连接到靠近元件(尤其是 FET 和电容器)焊盘的 PGND 平面(信号2层)。

正如一个重复,在我的上一篇文章在旧的线程,我写道:

>...请勿对功率级的任何元件或 VCC 引脚上的电容器使用任何散热连接。

陶瓷输入和输出电容器的正确连接是必需的。
散热连接的寄生电阻和电感会导致大问题。

请勿在 FET 下方布置电流检测线路。
即使长度会增加、也请将这些差分轨道从电解电容器周围的检测电阻路连接到控制器。

本信函以及任何相关信函中的所有信息均"按原样"在"包括所有缺陷"的前提下提供、并且遵守 TI 的重要声明： www.ti.com/.../important-notice.shtml

此致
哈利