[参考译文] 9-16VDC 至48VDC 设计审查

尊敬的 JT：

(在下面的列表项中、需要再次选中的项目标记为粗体)(注意：此处还列出了其他信息、用于概述所选中的项目)

快速入门计算器：

• 电容器低得多的斜坡电容器
• UVLO 设置为相当低
• 升压低侧 MOSFET 可能会出现热问题。

原理图：

• 在 VISNS 处为2k 的串联电阻(如果 Vin > 40V、则需要、但建议在所有条件下使用、因为 VIN 在突发期间也可能会更高、仅 LM5176)
• BIAS 已连接
  如果 BIAS 未被使用、连接至 GND 或 VIN (不要保持打开)- BIAS 最大值= 40V！
• 模式：允许的电阻器
  (LM5176仅93k1200k 或 Vcc)

• 去耦电容器 VCC
  VCC 处的盖子足够大-检查与车尾箱盖的比率(至少5个)
• SW1和 SW2上的缓冲器 (或肖特基二极管)
  在 SW1和 SW2处放置缓冲器的封装
   (它们随后可以根据需要(例如、由于 EMI)在不更改布局的情况下进行安装)
  注意：为了获得更好的热性能、缓冲器被连接到 GND 而非电感器

• 连接到 PGND 的缓冲器不感测电阻
  ->请勿连接到感应电阻器、以免缓冲器电流注入感应信号
• 在 MOSFET 栅极信号线路中添加串联电阻
• (它们可以在需要时(例如由于 EMI)更换、而无需更改布局、
  其他选项：并联添加一个二极管以实现慢速导通和快速关断。
• 栅极电阻器<=5欧姆
• MOSFET 的额定电压
  (建议裕度为30%)
• 对 LM5176的电流检测(CS/CSG)使用开尔文连接
• CS/CSG 处的滤波器： Tau < T/200
• EN/UVLO 处的电容
  在 EN/UVLO 的低侧电阻器上添加电容器有助于避免启动时出现纹波、特别是选择极低的启动电压
• 相对于最低输入电压的 UVLO 设置
  UVLO 设置为 XV、但运行范围从 XV -相对较大的距离开始

• ISNSP/N 短接并在不使用时连接到 GND  

• 选择建议的电容器以进行斜率补偿。 最好使用下一个较低的值而不是较高的值(=斜坡补偿更大)
• 请检查整个范围内的相位裕度(建议> 60度)  

布局(仅供参考)

(在下面的列表项中、需要再次选中的项标记为粗体)

• VCC 电容器、靠近引脚
• AGND 和 PGND 连接在散热焊盘上-是
• 散热焊盘中的过孔：散热焊盘可以获得更多过孔、从而更好地分配 LM5176的功率损耗
• AGND 岛
   -> AGND 电源区域有助于避免干扰注入 AGND 相关组件
• 与 CS/CSG 检测电阻的开尔文连接 ->中国国家电网(CSG)应使用专用导线来检测电阻、而非通过接地平面
• 与 ISNS+/-检测电阻器的开尔文连接(如果未使用、则短接至 GND)
• HDRV1/SW1的小电流环路(该导线包围的区域应尽可能小、最好两者兼得)
• HDRV2/SW2的小电流环路(该导线包围的区域应尽可能小、最好两者兼得)
• 输入电容接近 MOSFET
• 输出电容器接近 MOSFET
• FB 分压器靠近 LM517x

有关布局的其他信息可在此处找到：

(1)四开关降压/升压布局提示1：确定布局的关键器件

(2)四开关降压/升压布局提示2：优化功率级的热环路

(3)四开关降压/升压布局提示3：将差分检测线路与电源平面分离

(4)四开关降压/升压布局提示4：栅极驱动和返回路径布线

此致、

 Stefan