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器件型号：UCC21738-Q1 主题中讨论的其他器件： UCC21710-Q1、 UCC21717-Q1、 UCC21755-Q1、 UCC21737-Q1、UCC21732-Q1、 UCC21756-Q1、UCC21750
工具与软件：
尊敬的 TI 支持部门：
我目前正在设计双有源电桥(DAB)转换器、我正在寻找合适的隔离式栅极驱动器 IC。 我将使用的 SiC MOSFET 是什么 1200V SiC MOSFET 解决方案 总栅极电荷(Qg)为288nC 和 开关频率将为100kHz . 我正在考虑使用 UCC21738-Q1 用作栅极驱动器。 基于其高峰值拉电流/灌电流、内置保护功能(DESAT、软关断、AMC 等)和高 CMTI、 它看起来像一个好的候选人。 在最终确定设计之前、我想问：
1. 您是否认为 UCC21738-Q1适合 用于在 DAB 转换器拓扑中驱动此类 SiC MOSFET？
2. 在网站上、我也可以看到几款类似的产品、比如：UCC21717-Q1、UCC21756-Q1、UCC21755-Q1、UCC21732-Q1、 UCC21750、UCC21710-Q1 、UCC21737-Q1等 您能帮助说明这些栅极驱动器之间的主要差异吗？ 我的重点是确保强大的保护、足够的驱动能力以实现快速开关、以及在高 dV/dt 条件下可靠地运行。
我期待您的回复,并提前感谢您!
此致、
Han
