工具与软件:
有人能向我解释手册第37页中的以下句子吗?
"设置 EN_OTG = 0、以便退出 OTG 模式并进入正向充电模式而不会导致 PMID 电压崩溃。 设置 BKUP_ACFET1_ON = 1时、也会将 BKUP_ACFET1_ON 清除为0、并将 EN_BACKUP 设置为1。"
设置 BKUP_ACFET1_ON = 1是否会触发它再次返回0?
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好、Wolfgang、
有。 从数据表中、应将该声明移至项目1:
以下序列用于在重新布防备份模式的同时、从电池电源切换回 ACIN1:
1.将 BKUP_ACFET1_ON (REG0x16[0])寄存器位写入1。 设置 BKUP_ACFET1 _ON = 1会使器件设置 DIS_ACDRV = 0且 EN_ACDRV1 = 1。 之后、备用模式被禁用、但充电器保持正常 OTG 模式。 ACFET1-RBFET1被打开以将适配器连接到 VBUS。 用户必须确保适配器电压等于或高于充电器 VOTG 电压设置、否则充电器 OTG 输出可能反向驱动连接到 VBUS 的适配器。 设置 BKUP_ACFET1_ON = 1时、也会将 BKUP_ACFET1_ON 清除为0、并将 EN_BACKUP 设置为1。
2.通过将 EN_ACDRV1读回为1来确定 ACIN1上的源有效(未处于过压状态并且未失败不良源检测)。
3.设置 EN_OTG = 0、以退出 OTG 模式并进入正向充电模式而不会发生 PMID 电压崩溃。 设置 BKUP_ACFET1_ON = 1时、也会将 BKUP_ACFET1_ON 清除为0、并将 EN_BACKUP 设置为1。
此致、
Jeff
尊敬的 Jeff:
感谢您的快速响应。
您的解释有助于澄清问题。
但是、在复位后启用备份模式时仍然出现问题:
我将设置REG_RST
REG09_TERMINATION_CONTROL
寄存器的位6 ()以复位 BQ25798寄存器和计时器。 发出复位后、我等待大约100ms。 然后、我尝试通过设置EN_BACKUP
REG0F_CHARGER_CONTROL_0
寄存器中的位来启用备份模式、而 AC1上存在5V 电压。
但是、当我回读该EN_BACKUP
位时、它没有被设置。
您能否说明在复位后启用备份模式的正确过程?
此致、
沃尔夫冈
尊敬的 Jeff:
我正在与 Wolfgang 合作完成这个项目。 基于 VINDPM 阈值进入备用模式不会出现该问题、我们意识到仅当 VAC1降至阈值以下时才会进入备用模式。 但是、如果我们正确读取数据表、则需要在 VBUS 为高电平时设置 EN_BACKUP 位、以便在 VAC1降至阈值以下时、备用模式会被触发。
我们在测试中看到的问题是、在设置 REG_RST 位后(当存在外部 VAC1/VBUS 时)并且寄存器被清除后、我们将不允许将 EN_BACKUP 设置为1、但我们希望它允许我们这样做。
(EN_BACKUP 存在不一致之处:图9-37表示它是只读的、但表9-25表示它是 R/W。)
根据我们在数据表中的理解、每次从 VAC1为 VBUS 供电时、我们都需要将 EN_BACKUP 设置为1 (或让它通过 BKUP_ACFET1_ON = 1自动设置为1)、以便 在 VAC1降至阈值以下时启用 OTG 的自动启用。
我们在这里是不是在误解这个操作?
谢谢!
Craig