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工具与软件：
您好！
我正在使用 UCC21710驱动高侧 SiC MOSFET。 数据表第10节中的布局指南建议、不应使用 COM 引脚(在本例中连接到 MOSFET 的开尔文源)的平面覆铜、因为该节点也是开关节点。
不过、覆铜是否有助于屏蔽并最大程度地减小栅极驱动器环路的整体杂散电感？
感谢您提供的任何见解。
尊敬的 Kartavya：
我同意您的意见。 似乎该数据表项目符号明确提及接地平面、而不仅仅是连接到 COM 的覆铜。 在高侧、我们的大多数 EVM 都有一个高侧开关节点 COM 平面、可更大限度地减少 Vgs 电感和噪声。
此致、
Sean
•如果将栅极驱动器用于 COM 引脚连接到直流总线负极的低侧开关、请使用输出侧的接地平面来屏蔽输出信号、使其不受开关节点产生的噪声影响；如果将栅极驱动器用于高侧开关、则不建议使用接地平面。
感谢 Sean 的澄清。
