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器件型号：BQ76200 工具与软件：
嗨、团队：
我计划使用 bq76200管理两节锂离子电池(充满电时为4、35*2伏)、并正在选择 N-MOSFET 来实现充电、放电和电池组隔离。
数据表第5页指示：
V (CHGFETON)可以从9V 变为14V、我想以 GND 为基准。
V (DSGFETON)可以从9V 到14V、我想以 GND 为基准。
所以、我的怀疑与 MOSFET 的 Vgs (Max)参数有关：
对于 CHG MOSFET、我的最高 Vgs 将是(14V -最低电池电压)
对于 DSG MOSFET、最高 Vgs 将是(14V–最低充电电压)
即使这会影响电池、最低电池电压可能为0V、如果充电器发生故障、最低充电电压也可能为0V。
这意味着、为了不损坏 MOSFET、其 Vg 的(max)应超过14？
数据表中的测试条件规定了 V (VDDCP)、V (CHGFETON )和 V (DSGFETON)的注释"V (VDDCP)–V (BAT)"、所以让我怀疑数据表电压是以 GND 还是以 V (BAT)为基准。
我们感谢您提前提供宝贵意见。 谢谢！
Randy
