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工具与软件：
嗨、团队：
观察 EVM 波形可以发现、输入电压越高、电流偏离正弦波的程度就越高。 我希望具有一个正弦波、无论是100V 还是200V、但这种程度的失真会发生吗？
此致、
你好、Hirotsugo-san、
EVM 在较高输入电压下出现的输入电流失真是由于导通时间过零(整流输入电压)导致的。
UCC28064A 数据表讨论了这种失真及其原因、并提出了一种有助于减少或消除这种失真的电路。 额外的导通时间显示在数据表第9页的图1曲线中。 第8.3.4节(第17页)讨论了过零失真、低电感如何使情况更糟、图17显示了可以帮助减少失真的电路。
该 EVM 未实现图17的电路。
此致、 Ulrich
Ulrich、您好！
它将提供多大的改进？ 它会更接近正弦波还是会与115V 一样好？ 此水平的失真是否通常可以接受？
最棒的地方
具体改进程度取决于系统中的外部电路参数和电感值。 正确的调优可能会帮助您达到115V 的电平(但您的115V 输入性能也可能会提高)。
这种失真是否可以接受由客户决定。
此致！
宁
嗨、Ning、
请告诉我为什么在200V 时电流会失真。
由于我14天前发布的原因、电流在200V 时出现失真。 200VAC 输入高于115VAC、因此失真更高。 在230VAC 时、失真将比200VAC 时更糟、在264VAC 时、失真将更严重、除非应用并调整了第8.3.4节中的缓解电路、以更大限度地减小高电压下的 THDi。 有关详细信息、请参阅 UCC28064A 数据表中的第8.3.4节。
我不知道为什么没有将此缓解电路应用于 EVM 设计。 针对此问题的简化缓解电路只需一个从 VREF 到 VINAC 的电阻器即可提供固定失调电压(通常为0.3~0.5V)。 如果固定失调电压可提供足够低的 THDi、则可能不需要所有二极管。
我想消除失真、但添加一个对策电路效果不是很好。
在约为零伏时、100V 和200V 的输入电压接近于相同的电压、那么为什么200V 输入的失真会更大呢？
是否就是输入电压的差异？
由于输入的 dV/dt 高于接近于零伏的值、因此在高输入电压下失真较高。
升压电感器对于100V 和200Vac 输入是相同的、但对于200Vac 输入、电压上升了两倍。 在接近零伏的相同开关周期内、电感器电流在输入为200V 时上升速度会加倍。
接近0V 的 VINAC 电压的额外导通时间允许电感器电流上升得远高于所需值。 额外的导通时间特性旨在减少来自电感器电流"平点"的过零失真。 该电路开发于十多年前、当时电感通常较高且 MOSFET Coss 较小。
但近年来、MOSFET 的 Coss 较高(这会延迟关断并使电流上升得更高)、而电感设计得更小、可实现更高的频率。 这些技术相结合、会在过零附近增加过多电流、而不是仅仅消除平点。
我认为如果只添加 一个 从 VREF 到 VINAC 的电阻器对策、忘记使用二极管、则可能会有更大的改善。 选择该值以在 VINAC 处实现0.5V 失调 电压、然后启动、评估失真并增大或减小电阻值以找到最小 THDi 点。
