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[参考译文] TPS54336A：电源芯片#39；下部 MOSFET 烧毁

admin
Guru**** 2493175 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS54336A

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1491510/tps54336a-power-supply-chip-s-lower-mosfet-burned-out

器件型号：TPS54336A

工具与软件：

你好

我们在使用 TPS54336ADDA 组件、但我们遇到了3次故障。 故障症状是引脚3、4和9之间短路、故障分析指向下部 MOSFET 的过流损坏。 芯片的输入端有一个 DC-DC 隔离电源、可为 TPS54336提供15V 电压。 输出负载相对较小、我们在输出侧使用陶瓷电容器而不是电解电容器。 电源的外围电路如下所示

下面显示了在正常电路板的引脚3处测得的波形。 您能否帮助分析 SW 波形是否正常？

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    TI__Guru**** 2493175 points
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    你(们)好

    请让我检查一下、稍后再回复您。

    谢谢、此致。

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    TI__Guru**** 2493175 points
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    谢谢你。 您是否注意到有任何异常？ 或者、您有没有关于电源芯片下的 MOSFET 烧毁的分析方向？

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    TI__Guru**** 2493175 points
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    你(们)好

    波形看起来正常。   您能否共享布局图像？ DPPM 是什么？ 我们是否知道损坏将在什么工作条件下发生？

    谢谢、此致。

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    TI__Guru**** 2493175 points
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    布局图如下所示、产品在正常运行期间损坏。我们使用了大约2000个此类元件、其中3个元件出现故障

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    TI__Guru**** 2493175 points
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    我们测得的负过冲电压接近-2V。 负过冲似乎有点大。 较大的负过冲是否会导致 MOSFET 烧毁？ 什么因素可能导致负过冲较大？

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    TI__Guru**** 2493175 points
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    你(们)好

    抱歉布局不清楚。 是否可以附加每个层的布局图像？

    我们测得的负过冲电压接近-2V。  ---请使用小探头环和全带宽,并放大测量。

    谢谢、此致。

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    TI__Guru**** 2493175 points
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    你好、Gui He

    顶层  

    GND

    模拟

    电源

    数字

    底部

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    TI__Guru**** 2493175 points
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    你好、Gui He

    使用一个小探头回路测试以下两个引脚、波形如下图所示放大。

    谢谢、此致。

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    TI__Guru**** 2493175 points
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    你(们)好

    我将在明天早些时候查看这一点。

    谢谢、此致。

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    TI__Guru**** 2493175 points
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    你(们)好

     可以按照 TPS54336A 数据表中10.1布局指南所述对布局进行优化：

    使用单独的接地迹线连接反馈、补偿、UVLO 和 RT (对于 TPS54336A 为 SS)回路。 将此接地迹线单点连接至主电源接地、以更大限度地减少循环电流。

    SW 波形应该正常。 负脉冲可能是在快速开关过程中键合线寄生电感的压降引起的。

    谢谢、此致。

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    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    非常感谢您的帮助

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    TI__Guru**** 2493175 points
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    你(们)好

    不用客气。