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[参考译文] 《TPS2140:GESS-BMS 中的绝缘电阻检测设计》

Guru**** 2493175 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1491333/tps2140-insulation-resistance-detection-designs-in-gess-bms

器件型号:TPS2140

工具与软件:

根据 GESS-BMS 应用手册中的绝缘电阻检测设计、您能否提供 第22页中仿真模型中提到的从 R1到 R9的电阻值。

我正在尝试对此电路进行仿真、因此从 TOPO 设计来看、我得到的结果与图表中提供的结果不同。  

此致、

Vijay

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    Vijay,

    我需要将此票证传递给其他组织。  我的团队没有创建该版本。

    此致、

    卡盘

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    您好、 Vijay、  

      、我们在理想情况下进行仿真、因此 R1、R2可以是无限的、R9 =1uohm、R7/R3=R8/R6=2k Ω 您可以选择 R3=R6=1.5M 作为我们的建议、采样电阻器 R4=R5、可以选择12.48k Ω。 结果可能会不同、但采样时间计算方法的结论是相同的。

    此致、

    Jiemo

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    朱洁莫先生、

    感谢您提供的投入。 我将介绍单交换机拓扑方法 https://www.ti.com/lit/an/sluab06/sluab06.pdf?ts = 1743574254094&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F (来自第5页)                   

    了解图2-1中 S1、S2的测试步骤1。

    在第二步中、我理解了 SW1、SW2是指 S1和 S2、 我对吗? 而关于 SW3、在图2-1中、却看不到这一点。