[参考译文] LMR14050：LMR14050输入纹波环解决方案

您好、Yan

有两种方法可以减少这种振铃。

1. 将低值电容(1nF)放置在靠近 Vin 引脚的位置、并尝试尽可能缩短其 GND 返回路径。
2. 增大 R13的值以减慢 SW 节点的速度。 我看到它已经很高了。 进一步增加可能会影响效率。
3. 增加缓冲电容值

谢谢你

此致

Onkar Bhakare

1. 将小值电容(1nF)放置在靠近 Vin 引脚的位置、并尽量减小其 GND 返回路径。 为何选择1nf？

3、提高缓冲电容值--- 如果 我增加缓冲电容的值、缓冲电阻器是否会超过其功率限值？

谢谢你

此致

Yan

您好、Yan

1. 原理图中连接的小电容(1nF、0.1uF)将具有较低的串联谐振频率(SRF)、因此与值较高的电容相比、能够更有效地抑制高频尖峰。 最好按升序使电容更接近 IC。
2. 是的、对于更高的缓冲电容器、您需要具有更高额定功率的电阻

谢谢你

此致

Onkar Bhakare

此33.33M 振荡？的原因是什么

谢谢你

此致

Yan

您好、Yan

这是 Vin - SW 布线的实际电感和带有输入电容器的内部键合线产生的振铃结果。 因此、为了抑制、可以按照之前指定的方式使用以下步骤

1. 将低值电容(1nF)放置在靠近 Vin 引脚的位置、并尝试尽可能缩短其 GND 返回路径。
2. 增大 R13的值以减慢 SW 节点的速度。 我看到它已经很高了。 进一步增加可能会影响效率。
3. 增加缓冲电容值

谢谢你

此致

Onkar Bhakare

您好、Yan

如有任何其他问题、请告诉我

谢谢你  

此致

Onkar Bhakare