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[参考译文] UCC5880-Q1:在发生击穿事件时 DESAT 功能

Guru**** 2492425 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC5880-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1497410/ucc5880-q1-desat-function-in-a-shoot-through-event

器件型号:UCC5880-Q1

工具与软件:

尊敬的 TI 团队:

我的问题与  UCC5880-Q1栅极驱动器的 DESAT 功能有关。 我想使用其中的2个来 最大驱动2个 SIC MOSFET (半桥) 435v DC Link Voltage。

1- DESAT 功能是否能够检测到由于击穿事件而导致的短路电流并节省驱动器和 SIC MOSFET 的电量。 即高侧 SIC 短路(缺陷)并且低侧正在开启?

 DESAT 事件的响应时间为110ns、但我找不到任何其他 DESAT 时序的相关信息。 是否有消隐时间? 从何处可以找到有关该内容的更多信息?

谢谢你
此致
Raeed