Other Parts Discussed in Thread: UCC5350, UCC5390, UCC23525, UCC23711, UCC21750
工具与软件：
您好、TI
我目前正在开发一个 SST 项目、在此我们使用 Microchip (MSC025SMA330B4N)的 SiC MOSFET、额定电压为3300V、栅极电流超过16A、我们需要 DESAT 功能、您是否可以建议栅极驱动器与上述规格匹配。
尊敬的 Kayala：
您是指 MSC025SMA330B4N 漏极电流的16A？ 从 SiC FET 的数据表中有一张图、该图显示了50A 漏极电流下的预期开关损耗与栅极驱动电阻之间的关系。 16A 开关损耗将几分接近这些50A 值的16/50：
UCC5390的内部 ROH 为12欧姆。 与输出电阻约为5欧姆的 UCC23535相比、它将产生更高的开关损耗。 为了降低电阻、您可以添加一个外部 BJT 图腾柱缓冲器、该缓冲器可提供小于1欧姆的电阻。 但是、这会使电流突然导通和关断、从而导致 FET 上出现高过冲。 您的 FET 具有极高的电压、因此这可能不是问题。
如果您需要 DESAT 保护、我们可以选择与 UCC23525具有 DESAT 功能的器件、该器件称为 UCC23711。 如果您有兴趣、我们将于9月提供加速产品发布样片。 UCC21750是一款具有与 UCC5390相同驱动强度并具有 DESAT 引脚的器件。
此致、
Sean
实际上、当您看到数据表 MSC025SMA330B4N 时、16A 并不是漏极电流
总闸门电荷为410毫微哥伦比亚元
下降时间(或)上升时间、以较大者为准= 26纳秒
所需的栅极电流为410/26 = 15.77A
我们需要能够支持峰值输出电流的栅极驱动电路大于16A、工作电压为2800V 且工作电压超过5000V
可承受长达1分钟的隔离电压(经 UL 认证)。 此外、它应该具有 DESAT 功能、上述条件适用于上述碳化硅 MOSFET。 因此请建议栅极驱动器支持和所有这些要求、并提及这些驱动器。 感谢并等待您的回复
实际上、我附加了一些示例规格、说明看起来应该是什么样的、请让我们更好地理解 
尊敬的 Kayala：
栅极驱动器输出电流并不是以这种方式工作的。 下面是针对 C3M0015065D (一种类似的 SiC FET)测得的 ID = 75A、600V 开关波形 I。
26ns 电压下降时间仅是410nC FET 完整接通周期中四个周期的第三个。 第一个是截止区域、在该区域中 Vgs 充电至 Vth、第二个是有源/饱和区域、在该区域中 ID 从0A 升至满 ID、接下来是饱和区域(下降时间)、最后是 Rdson 区域、在该区域中 Vgs 完全上升至15V。
栅极驱动器输出电流如下面的红色所示。 您可以看到、它不是瞬时从0A 上升到峰值。 它在截止区域受到跨导的限制。 外部 BJT 图腾柱可以具有更快的上升时间、但大多数栅极驱动器都由成本更低的 CMOS 器件制成。 提高电源电压也有助于提取更多 Iout。
更重要的是、在确定 Eon 的 ID 上升时间 Vds 下降时间内、栅极驱动器的输出电压已经接近正轨、Iout 受 ROH 限制、而不是饱和电流。 您可以从数据表输出低电平和输出高电平中获得 Ru 和 Rol (适用于 Eoff)。 在此测试中、会向输出端注入一个小电流(如20mA)、并测量电压变化。
UCC5350 (10A 峰值 Iout)：测量的最大电流为2.2A、开关损耗为3mJ。 卢武铉的表现是12欧姆左右。
UCC23525 (5A 峰值 Iout)：测量得到的最大电流为2.3A、开关损耗为2.6mJ。 如果外部只增加1欧姆、则卢武铉的电阻为5欧姆左右。
工作隔离电压以 Vrms 为单位、但如果您使用的是直流轨、则应将该值乘以 sqrt (2)、或使用数据表中的 Vdc 额定值。
如果您需要 DESAT 功能、UCC23711或 UCC21750将具有该附加功能。
此致、
Sean
