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[参考译文] TPS51200-VREF:DDR4 EP 和 VREF 生成-

Guru**** 2493175 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS51200

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1496914/tps51200-ep-ddr4-vtt-and-vref-generation--

器件型号:TPS51200-TPS51200- EP
主题中讨论的其他器件:TPS51200

工具与软件:

您好、TI 团队:  

在我们的设计中、我们使用 Micron DDR4存储器  MT40A2G8AG-062E AUT:F  

对于终端、VREF 和 VTT 电源、我们计划使用 TI TPS51200稳压器 IC。  

www.ti.com/.../tps51200

我们的设计总共包括4个与 FPGA 连接的 DDR。 地址和控制线路以菊花链方式布线、需要在最后一个存储器 IC 的末尾的 PCB 上进行端接。  

我们是否可以将单个 TPS51200 IC 用于4x DDR VREF 和 VTT 终端?  

根据应用 DDR4 VDD 和 VDDQ 电源为1.2V、如何确保 OUT 和 REFOUT 处的稳压器输出精确地为0.6V? 然后、请分享可用于 DDR4 VTT 和 VREF 生成的任何计算器或参考设计  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Garima、您好!

    这主要取决于您需要的电流要求。

    TPS51200-VTT 的 VO 输出的灌电流/拉电流限制为3A (VO 和 EP 是相同的)。 REFOUT 具有40mA 源电流限制(REFOUT 和 VREF 是相同的)。 您需要确保 DDR4存储器不会超过这些限制。

    VO 将跟随 REFOUT 电压、REFOUT 电压由连接到 REFIN 引脚的电阻分压器定义。 一般建议使用容差至少为1%的10k 电阻器、以确保 REFIN 精度。 VO 精度的规格旨在比 JEDEC 要求更严格、但它未在本文档中列出 DDR4的限制。

    要对 VOSNS 进行布线、请遵循下面突出显示的布局指南。 如果希望基于最远的存储器单元进行调节、可将 VOSNS 连接到那里的负载侧电容器的正节点。 对于较长 VOSNS 布线以及 IF 电容超过2m Ω ESR、建议使用低通滤波器。

    此致、

    James