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器件型号：BQ25750 工具与软件：
我设计了一个采用 BQ25750的50V/10A 充电器、并进行了充电。
但其中一个背靠背 ACFET (BATFET)被加热至120摄氏度。
我认为电流会流过 Q2和 Q4的介电二极管。
我想知道这种情况是否正常。
我将等待友好的回答。
~感谢您的评分
尊敬的 Ethan：
感谢你的评分
我的第一个 BQ25750原理图如下所示。
-输入: V50(50V)
-输出: VSYS (50V/8A)
VBAT (1A、充电电压高达50V)
在原型测试中、测得 VSYS 为49.3V、Q2被加热至100 Celcius 以上。
因此、所有电流都流经 Q2的寄生二极管。
2. 4个 FET 均为 ISC025N08NM5LF2 (英飞凌)。
3.我没有足够的时间进行调试、因此我将2`背对背 FET 块`改为2`理想二极管块`如下所示。
更改后、我找不到任何压降、FET 发热。
我没有第一个原理图中的 PBA、因此我现在无法衡量您的建议的任何点。
我必须修改这个充电器、要使用 BQ25750的功能。
理想二极管对于此充电器而言不是很好的解决方案。
此致、
J Won。
