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[参考译文] UCC28C59-Q1:UCC28C59-Q1多路输出反激式设计

Guru**** 2382630 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28C57H, UCC28C59, UCC28C57H-Q1, UCC28C59-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1497214/ucc28c59-q1-ucc28c59-q1-multi-output-flyback-design

器件型号:UCC28C59-Q1
主题中讨论的其他器件:UCC28C59UCC28C57H-Q1、UCC28C57H

工具与软件:

大家好、我计划使用以下参数设计一款多路输出反激式转换器:

系统参数

  • 输入电压:250V ~ 800V

  • 输出功率:49W

输出电压和电流

  • 5V @ 0.8A

  • 24V @ 1.2A

  • 15V @ 0.3A

  • -15V @ 0.3A

  • 开关频率:40kHz ~ 100kHz

使用 TI 电源设计器工具时、我能够设计出具有单输出的转换器。
UCC28C59是适合此系统配置的选择吗?
我打算使用的 MOSFET 是 SiC MOSFET、大多数测试条件规定 Vgs = 18V。


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    您好!

    由于 Vgs = 18V、似乎应使用 UCC28C57H-Q1。 是的、可以使用 UCC28C57H-Q1满足您的规格。

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    感谢您的答复。

    由于 UCC28C57H-Q1的 UVLO 使能电压为18.8V、因此改用 UCC28C59H 是否更合适?

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    您好!

    如果您想在18V 电压下驱动 SiC MOSFET、那么 UCC28C57H-Q1是合适的选择。 UCC28C59 UVLO off 为12.5V、因此您需要检查这对于您的 SiC 是否合适。

    UCC28C57H-Q1 UVLO 关断、电压为15.5V、因此比 UCC28C59-Q1对18V SiC 更安全。

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    感谢您的答复。
    据我了解、如果输入电压未超过 UVLO 阈值、IC 电源将不会接通。 有什么我可能遗漏的地方吗? 如果 Vgs 在18V 时驱动、我认为 UCC28C57H IC 不会正确启用。

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    您好!

    当某些单元的 VDD > 14.8V 时、UCC28C59开始驱动、而在启动后、可以在 VDD 低至12V 时保持驱动。 考虑到您的 SiC Vgs = 18V、当 VDD < 18V 时、除非您能够通过电路使 VDD 导通和关断的电压更多接近18V、否则存在损坏的风险。  

    UCC28C57H VDD 在15V 至17.6V 范围内、最差情况下导通电压为20V、对于 SiC 来说可以维持此电压。 因此、UCC28C57H 更易于使用。

    您可以提供您的 SiC 数据表供我们查看、以了解是否可以使用哪个器件。

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    感谢您的答复。

    以下是 SiC MOSFET 的数据表。

    在这种情况下、您能否告知如果我通过辅助绕组提供 VDD 电源、应该使用多大的 VDD 电压?

     

    此外、我仍然不完全相信我理解 UVLO (欠压锁定)功能正常、因此我想再问几个问题、抱歉再次提出。

    1. 根据我的理解、当提供的 VDD 电压低于18V 时、问题似乎就会出现。 在设计变压器的辅助绕组时、这是否也是一个问题?

    2. 根据 UCC28C57H IC 数据表、VDDon 的额定电压为17.6V ~ 20V。 这是否意味着这是使 VDDon 导通的合适电压范围? 或者这是否意味着 IC 只能在此电压范围内正常工作? 我最初以为此电压范围是 IC 正常工作所必需的、因此我假设如果 VDD 电压低于20V、IC 就不会开启。




    e2e.ti.com/.../_5B00_B2M600170H_5D00_-datasheet.pdf

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    我明白你现在的意思。 谢谢你。

    我意识到,我一直在想它的错误的方式。 正确的操作是、启动电阻器最初给 Vdd 充电、使其超过 UVLO 开启阈值。 之后、当 IC 开始运行并消耗功率时、Vdd 将下降、然后辅助绕组接管以保持 Vdd 电压。 此后、由于迟滞、当 Vdd 降至 UVLO 关闭阈值以下时、IC 关闭。

    感谢您的澄清。