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[参考译文] LM5116:LM5116的击穿问题

Guru**** 2386600 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5116
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1496949/lm5116-shoot-through-issue-of-lm5116

器件型号:LM5116

工具/软件:

您好团队

以下 LM5116电路、Vin=50V、Vo=3.3V、L=4.7uH、Cout=150uH、VCCX=12V、在 Vin 就绪、μ s 后启用器件、但客户发现 LM5116将同时输出高侧和低侧驱动器信号、从而导致击穿、μ H、LM5116也会损坏。

CH2低侧驱动器信号、CH4高侧驱动器信号、CH1 EN 引脚、CH3 COMP 引脚

您能否帮助确认我们的器件是否出现相同的行为? 为什么会发生这种情况?如何解决这一问题?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Harry  

    请为我的调查捕获更高分辨率的波形吗?  

    请捕获 IC 引脚上的 V (HO-SW)、高侧 MOSFET 上的 V (栅极-源极)、IC 引脚上的 V (LO-GND)、低侧 MOSFET 上的 V (栅极-源极)。  

    我认为外部栅极驱动器电路是导致该问题的原因。  

    - EL   

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    您好、Eric

    感谢您的支持、请参阅以下图片。  

    • IC 引脚上的 V (HO-SW)、 通道3
    • 高侧 MOSFET 上的 V (栅源极)、 通道4
    • IC 引脚上的 V (LO-GND)、 CH1
    • 低侧 MOSFET 上的 V (栅源极)。 通道2

    另一个关键消息是:如果首先是 EN 器件、则器件可以正常工作、然后添加 Vin、最后添加 VREF_1。  

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    您好 Harry  

    为了检查是否有任何击穿,我需要放大波形...约50ns/div 刻度。  

    如果通过更改启动序列而改变行为、则可能不是击穿问题。   

    如果首先是 EN 器件、然后添加 Vin、最后添加 VREF_1、这毫无意义。 如果不施加 VIN、则无法启用器件。  

    请清楚地详细描述问题以进行更多调查、并请共享放大波形。  

    - EL  

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    我将关闭此主题。 并使其离线。 您好 Harry 请使用电子邮件  
    - EL