[参考译文] REF102：REF102

您好：

对于200mA 输出电流、您可以使用这三个选项中的任何一个选项 如果您为所需的额定电流正确选择了元件(例如运算放大器、晶体管、电阻器等) 。 我建议使用选项 A 或选项 B、因为这样选项 C 中就不会出现电阻容差问题、而这会进一步降低精度性能。 对于10V 固定输出、REF102是一个不错的选择、或者 REF5010IDGKR (REF50)也是另一个不错的选择。  

对于20V 输出、您需要使用运算放大器提高输出电压。 为此、我建议将 REF5050EIDR (REF50E)与 运算放大器结合使用、它可以提供所需的精度、并在 REF5050EIDR 输出上以4倍增益配置提供100mA 电流。

有关 REF5050EIDR 的信息： https://www.ti.com/product/REF50E 

出于好奇心、这个电压的用途是什么？

谢谢、

杰克逊

感谢 Jackson 的答复。

我认为、由于具有广泛的电流能力、更推荐使用图 b 中的示例。

同时、我们找到了 Micrel MIC5158中的器件、其中包含适合我们的附加功能：使用外部 MOSFET 实现高电流、使用检测电阻监测负载电流、使用标志指示灯指示故障情况。

您可以推荐 TI 的类似器件吗？

该应用用于为惠斯通电桥提供高精度10V 电压、然后为20V 电压。

电桥阻为350欧姆。

您好：

使用合适的晶体管、您是正确的、因为图 B 可能会提供更多电流。 您的精度目标是什么？ 这将有助于推荐合适的器件。

谢谢、

杰克逊

早上好、

目标是实现0.1%的精度。

0.5%的精度仍是可以接受的。

谢谢你

您好：

以下是根据您提供的电压和电流要求获得此精度水平的两个建议：

1.10V 200mA 参考电压

20V 100mA 基准电压(运算放大器建议：OPA2156)

为了实现精度目标、我建议使用串联电压基准而不是 MIC5158等 LDO。 REF102BU 和 REF5050EIDR 的初始精度为0.025%。 这非常准确、并且与 LDO 相比、在0.1%至0.5%的误差预算中、为电阻器容差和温度漂移留出了更多空间。

虽然 LDO 无法达到 REF102和 REF50E 所能达到的精度水平、但如果您更喜欢以较低精度的牺牲来使用 LDO、请告诉我、我们也可以提供一些与 MIC5158类似的其他选项。

谢谢、

杰克逊

感谢 Jackson 的进一步帮助。

优选解决方案应采用类似于 MIC 5158的配置、具有我列出的有关该部分的易用功能：用于高电流的外部 MOSFET、用于监测负载电流的检测电阻、用于故障情况的标志指示灯。

即使 LDO 的精度不是最高的、我们也可以选择影响整体电路精度的外部元件/电阻器。

您好：

我将请 LDO 专家评论与 MIC5158类似的最佳建议。

谢谢、

杰克逊

感谢您迄今为止的良好帮助。

您好、

我们没有像 MIC5158这样具有专用引脚对栅极电压的器件。 (从技术上讲、有一种方法可以将 BJT 连接到 LDO 上以放大电流、从而由于 LDO 负反馈而保持稳压状态、但我没有看到它在 LM317之外使用、也没有看到它适合用作 MOSFET)。 通常、我们仅建议将电流限制较高的器件用于电流较高的应用。

我能够通过故障指示器 和电流检测引脚找到一个提高了高精度的器件：

TPS7B7701-Q1

数据表： TPS7B770x-Q1、具有电流检测功能的汽车类单通道和双通道天线 LDO 数据表(修订版 C)

输出精度：2%(与带隙相同)、电流检测和错误故障指示灯引脚、输入高达40V、最大电流340mA -550mA 应该足够了。

此致、

Gregory Thompson

感谢 Greg 提供的有用信息。

我认为该器件是一个出色的解决方案；我还欣赏 TPS7B7702的双路 LDO 控制器片上特性。

我认为该器件适用于惠斯通应用的电阻式电桥、这与器件数据表中所述的天线应用不同。

再次感谢您的确认。

我会在新设计中推荐此器件。

我刚刚收到了关于此设计理念的回复、要求我们提供更高的精度：1%或更高。

是否可以基于 TPS7B7702电路实现此精度？

遗憾的是、我认为使用 TPS7B7702/1无法实现、因为我们受到内部带隙基准精度的限制。 跟踪 LDO 使用外部基准(这会将问题转移到另一个器件)、其他一切都受到内部基准精度的限制。  

我们确实有许多其他 LDO 可以工作、但不具有电流检测和错误标志(电源正常状态等效器件)

注意：错误指示器和电源正常具有等效的操作

我们没有您要寻找的每个功能的部件、但我能够通过一个功能识别出每个关闭的部件。 请注意、TPS7B7702是唯一一款具有双路输出的器件。

我想知道提高精度的解决方案是否来自具有外部精密基准和具有已知功能的控制器的配置。

您能从 TI 提出这样的组合吗？

遗憾的是、我们没有符合您要求的跟踪 LDO (针对外部电压的 LDO)

我能找到的最接近 的是 TPS7B4261-Q1具有 PG 的汽车级300mA 40V 电压跟踪 LDO 数据表 、但它没有电流检测引脚。

如果适用、我建议将我们的任何高精度 LDO 用于外部基准、因为跟踪 LDO 接近电流限值。  

该稳压器具有出色的性能、但我仍需要检查是否可以解决电流检测缺失特性问题。

此外、输出电压似乎只能等于或低于(外部)基准电压、请参阅下文。

我当时正在考虑一个参考 约为5V、并且仍然能够在输出端生成20V 的电压。

您能否检查并确认此信息是否准确？

这很准确、输出电压只能等于或低于(外部)基准电压。  我们的跟踪 LDO 与 ADJ 完全匹配、您无法通过5V 基准被动生成20V 输出、您需要某种放大器来使其在器件之前具有20VADJ。

如果没有集成的外部芯片、则电流检测将需要一个外部芯片。 基本思路是在输出端放置一个小电阻器并测量此后的电压变化。 前提是您将其放置在反馈电阻之前、以免影响调节。 我们确实有专门用于这种用途的芯片、但我不熟悉我们的产品、因此我不得不重定向至电流检测主题。

您还可以并联两个 TPS7B85-Q1以解决电流限制问题、它可以正常工作、但您必须在您的端的两个电流检测引脚上添加值

使用镇流电阻器的并联 LDO 架构设计

感谢您的确认。

是的、我想考虑具有电流检测功能的选项；我想说、可以使用电流检测电阻器和收集两端电压的比较器来实现。

INA190应该合适。 电流检测电阻可放置在输入电容器之前。

INA190具有使能功能的双向、低功耗、零漂移、宽动态范围精密电流检测放大器数据表(修订版 D)