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大家好：
我正在使用 UCC28951PWR 控制器、在整流级设计具有倍流器拓扑的 PSFB 转换器。 对于电路的其余部分、我遵循数据表中的拓扑、其中驱动器和控制器以次级接地为基准、而全桥 MOSFET 通过栅极驱动变压器进行驱动。
我遇到的问题是全桥 MOSFET 过热、只需一分钟的运行时间和3A 的负载即可快速达到90°C 。最初、我考虑了两个可能的原因：
- 高侧和低侧 MOSFET 可能发生短路。
- 栅极驱动速度可能不够快、或者导通过程可能存在问题。
我已经排除了这些假设,通过分析以下信号在滞后和领先的腿:
- 蓝色：低侧 MOSFET 栅极上的电压。
- 绿色：高侧 MOSFET 栅极的电压。
- 黄色：分支中间节点处的电压。
如图所示、栅极信号之间没有交叉点。 此外、波形表明该分支正在执行软开关。 首先、低侧 MOSFET 栅极关闭、然后中间节点上的电压从0变为 Vin。 如果我没有误认为、此行为是由于匀场电感器强制电流连续性、从而导致低侧 MOSFET 的电容充电和高侧放电。 在此过程之后、高侧 MOSFET 栅极被激活(已实现 ZVS)、最后、高侧 MOSFET 也会在 ZVS 条件下关断。
我附加了滞后支腿和超前支腿的相应图像、以及显示 MOSFET 升温的图像：
滞后桥臂图像
前腿图像
MOSFET 的发热
(后腿-右侧/前腿-左侧)
尽管前两张图像显示了相当大的噪声、但我执行了一项测试、其中将初级接地和次级接地连接在一起、直接从驱动器驱动低侧 MOSFET。 对于高侧 MOSFET、我仍然使用栅极驱动变压器从源极到栅极产生12V 电压。 在此测试中、在高侧 MOSFET 上观察到的噪声几乎可以忽略不计、但发热持续存在。
最后、我使用了两个半桥驱动器直接驱动 MOSFET 栅极、从而绕过变压器。 这样、我就排除了栅极驱动变压器引起的问题、以及噪声可能由布局问题引起(因为在这种情况下布线会"飞跨")。 然而、结果保持不变。
我认为我可能忽略了设计中的一些重要或基本细节。 是否有人遇到过类似的问题或可以提供任何线索来帮助确定过热的原因？
提前非常感谢
