This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS2490EVM-001:用于提高 TPS2490的外部驱动器

Guru**** 2489685 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS2490

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1478833/tps2490evm-001-external-driver-to-increase-driving-capability-of-tps2490

器件型号:TPS2490EVM-001
Thread 中讨论的其他器件:TPS2490

工具/软件:

尊敬的先生/女士:

 

我使用 TPS2490EVM-001 板来评估 TPS2490热开关放大器控制器、工作电流需要高达50A。

因此、导通元件 MOSFET 从 IRF540NS 更改为 BUK7Y1R0-40N (´3)

由于 BUK7Y1R0-40N 的输入电容相对高于 IRF540NS、TPS2490的电荷泵驱动器似乎不足以驱动 BUK7Y1R0 MOSFET。

在这种情况下、您是否有可以在 TPS 和 MOSFET 之间使用的外部分立式驱动器配置或驱动器 IC 建议?

谢谢

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的联系。  我们不 建议使用 任何外部驱动器电路。 TPS2490控制器是否无法上电? 热插拔控制器设计为以较低的输出电压压摆率上电、从而限制启动浪涌电流。 因此、栅极驱动器的值被限制在较低的值。  

     

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的回答、No TPS2490 根本无法激活 BUK7Y1R0-40N (*3并联)。 如果我将 MOSFET 降低到单个 BUK7Y1R0-40N、则会断续

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您是否使用 TPS2490EVM 放置三(3)个  BUK7Y1R0-40N MOSFET? TPS2490EVM 仅支持一个 MOSFET。 如何组装三个 MOSFET?  

    请列出 EVM 原理图上所做的任何更改。 否则、请分享原理图。  

    请共享启动波形。

    需要在单次示波器屏幕截图中捕获 VIN、VOUT、GATE、计时器和输入电流。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好 Avishek Pal

    基本上、我有三个 BUK7Y1R0-40N 焊接在单独的电路板上、而 TPS2490EVM 上、我会移除其 IRF540 MOSFET、并将三根导线跳接至 MOSFET 电路板。

     

    我目前正在紧张其他工作、一旦我有更多时间、我将探测您提到的波形并将其放在这里。   

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好 Avishek Pal

    最后、我在两周前设法回到这个问题、我正在修改 TPS2490EVM 板以满足我的要求。

    输入电压:26V

     

     R1=680k、R2=68k、R4=110k、

    C3=10nF、C4=4n7、C5=10nF、C1=100uF

    R5=560uR @ 3W

    Q1=PSMN1R5-30BLE (´2)

     

    为了将两个 D2PAK 放入 EVM 中、我使用砂纸移除部分阻焊层并重新对齐 Q1位置、以便我能够挤压并焊接两个传感器、如附图所示。

     

    通过开发工作、我设法让它这次工作、是使用输入电容为13mF 的负载启动时的波形(F12 (g)和 F12 (h))。

    F17 (e)是在 EVM 输出端执行热短路时的波形、IO 在热短路时刻高达约182Apk。:

    • VSQ1降至约3V。
    • VDSQ1提高到大约29V。

     

    上面的(a)和(b)均表示 Q1被强制关闭、但 VTimer 在该瞬态期间保持低电平。

    VTimer 在开始充电之前需要6.4ms 的延迟。

    我的问题是 VTimer 甚至无法开始充电、在热短路后立即在第一个短脉冲中触发瞬时禁用 Q1的保护机制是什么?  

     e2e.ti.com/.../TPS2490EVM-questions.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    如果负载电流快速增加(例如负载短路)检测电阻器(RS)中的电流、则 Q1会被 GATE 引脚处的125mA (典型值)下拉电流快速关断。 有一个快速比较器用于检测流过电流检测电阻的电流的快速增加、其响应时间为1.2 μs (max)。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好 Avishek Pal

    谢谢您、IC 的方框图和特性说明中似乎都未显示该特性。 但在栅极灌电流规格中、确实表明 V (IGATE-SENSE)>= 200mV、VCC = 125mA。

    在该文件上、其他部分 tf_trip (@V (VCC 检测):0 -> 200mV)= 1.2us

    这清楚地表明了我的怀疑、是的、我认为我再也没有问题了。 非常感谢您的帮助、我将关闭该案例。