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[参考译文] BQ25171-Q1:关断状态期间从 VOUT 到 VIN 的漏电流

Guru**** 2490645 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1497533/bq25171-q1-leakage-from-vout-to-vin-during-off-state

器件型号:BQ25171-Q1

工具/软件:

您好:  

当我们的系统连接到外部电源时、我们使用 BQ25171为单节锂离子电池充电。 我们还实现了与数据表第29页所示类似的电源路径设计。  在遇到与充电器电路相关的多次故障后、我们 注意到 在关闭状态下 VIN = VBAT - 0.7V。 这也会导致我们的电源路径出现功能问题、因为 P 沟道 MOSFET 上的 VGS 过低、无法可靠地导通。 因此、系统负载功率会流过 P-MOS 体二极管、  当电池未充满电时会导致出现问题的压降。  我们假设、电源关闭时/CE 为0V、因此 BQ25171中的一个背对背开关导通、允许电流流经另一个内部开关的体二极管并出现在 VIN 处。  

我无法找到 有关在 VIN 未主动供电 且/CE 为低电平时器件如何工作的信息。 有人能确认这是我们遇到的问题吗? /CE 是否需要始终拉至高电平、即使电源关闭时也是如此、以防止 电池泄漏到 VIN 中?

谢谢!

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    你好

    我们正在查看该问题、并将在星期一发布更新。

    在实验中查看、施加电池电压时、未看到输入端的电压。   

    您能否发送原理图进行审核?

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    你好

    我已经对这个问题进行了一些额外的检查、两个 MOSFET 在0V 条件下将关断、从输出到输入不会有漏电流。  电池泄漏通常仅从电池中流出350nA、这不会进入输入。  

    VIN = VBAT - 0.7V 时、BQ25171将处于睡眠状态、这是一种低功耗关断模式、两个 MOSFET 都关断。

    系统和 Vin 之间是否可能存在路径?

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    尊敬的 Bill、 感谢您的 答复!  通过 电源路径中的肖特基二极管、从 SYS/电池到 VIN 有少量反向电流。 除此之外、其他方面都不应创建路径。 我将 这些肖特基二极管替换为 具有较低 反向电流的器件型号、看看它是否有所不同。 我可以分享原理图、但必须通过非公共通道共享原理图。  

    谢谢!

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