This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM7480:lm7480 MOSFET 选择(SOA 图)

Guru**** 2422790 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1500816/lm7480-lm7480-mosfet-selection-soa-graph

器件型号:LM7480

工具/软件:

您好:

我使用 LM74800作为浪涌电流过压反极性保护...

我的应用将使用48V 电压、预计电流消耗约8A

我正在寻找一个适合在我的情况下使用的 MOSFET、但有些产品还不太符合我的要求。

我正在研究一些 MOSFET 的 SOA 图、以便了解它是否安全运行。 有两件事让我困惑:

  1. 在最坏的情况下、LM74800需要多长时间关闭 MOSFET、才能确保 MOSFET 能够正确处理该问题? 在这种情况下、MOSFET 的总栅极或输入电容是否重要?
  2. 在正常运行中、当 MOSFET 完全导通、因此 Vds 较低、且流动的电流为8A 时、为了计算 MOSFET 的功率耗散和温升、我是否需要从图中的 Ids = 8A 处找到 RDS ON 值、然后根据该值计算 RDSon?


谢谢你   

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    对此有任何更新?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Fedi:

    是的、总 MOSFET 输入电容将在决定充电时间方面发挥重要作用。

    当 FET 完全导通时、除了 I^2 x Rds_on 外、功率耗散不变

    通常、建议在 FET 导通之前不要导通下游负载、因为在 VDS 较大的启动期间会出现最大 PD。

    此致、

    Shiven Dhir

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、 Shiven Dhir、

    感谢您发送的消息、但关闭时间如何?

    此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Fedi:

    关断时间非常快、还取决于 FET 的 CISS。 我们在数据表中有灌电流规格。

    此致、

    Shiven Dhir

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好:

    最后一个问题是、如果可以、

    关于我们需要选择的浪涌电流值、考虑到软启动、是在启动期间流经 MOSFET 的电流量还是其他电流量。

    由于我的负载消耗8A 电流、因此数据表中没有具体说明如何选择该值、以及如果所选值为 IINRUSH = 2A、需要多长时间才能限制电流(例如)
    谢谢你。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Fedi:

    如果浪涌限制为2A、则总时间将如下所示。

    12可以替换为输入电压。

    此致、

    Shiven Dhir