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[参考译文] LM5117:不同负载条件下的 IC 耗散

Guru**** 2482225 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1502599/lm5117-ic-dissipation-under-different-load-condition

器件型号:LM5117

工具/软件:

尊敬的团队:

您是否有公式/或工具来帮助我的客户根据不同的负载条件计算 IC 本身的功率耗散?

例如、根据 Webench 估算、当负载增加时(两种情况下的 Fsw 是相同)、IC PD 将变得更高、因此此测试结果与客户电路板上的实际测量结果一致。  

数据表中的公式显示了驱动损耗、我不确定 MOSFET 的 Qg 是否会在较重负载下高得多。

另外、关于静态损耗、不确定 IVCC 是否会随负载条件而变化。

您需要帮助提供估算 IC 功率耗散的正确方法、谢谢!

此致、

Charles

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Charles

    IC 温度可以通过增加负载来升高、因为 MOSFET 和电感器温度会升高 IC 的环境温度(/PCB 温度)。   

    通过增加负载可能会略微改变所需的 Qg、但变化量很小、您可以将其忽略。  

    如果您希望将测量值与估算值相匹配、请测量流入 IC VIN 引脚的电流、PCB 温度和 IC 温度以及足够的浸泡时间~ 20分钟。   

    - EL  

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    您好、Eric、

    如果可以忽略高/低负载之间的驱动损耗差异、那么当负载上升时 IC Pd 增量背后的原理是什么?

    此致、

    Charles   

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    您好 Charles

    正如我在上一篇文章中提到的、我认为 IC 温度可能会通过增加负载来升高、因为 MOSFET 和电感器温度会升高环境温度、即 IC 的 PCB 温度。  

    - EL