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[参考译文] BQ25731：MOSFET 保护

admin
Guru**** 2387830 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1504269/bq25731-mosfets-protection

器件型号：BQ25731

工具/软件：

您好、德州仪器(TI)团队！

第19页的 BQ2573x 评估模块(修订版 A)数据表显示了原理图、其中

MOSFET Q1、Q2、Q3和 Q4没有栅源过压保护。

您能告诉我是否需要这种保护以及是否可以使用18V

四个晶体管从栅极到源极的齐纳二极管？

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Suslik、

    齐纳二极管是不必要的。 我们的栅极驱动器源自6V 内部 LDO。 我们永远不会看到任何高达18V 的栅极电压尖峰。  

    我们一直在没有齐纳钳位的情况下运行充电器。 到目前为止未报告任何事件。  

    此致、

    Tiger