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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1504031/ucc21750-ucc21750--active-clamp
工具/软件：
大家好、我计划将 UCC21750用作驱动芯片、我希望在 CG 之间添加 TVS 来实现有源钳位功能、从而避免 VCE 过高而损坏 IGBT、是否有任何推荐的电路？
尊敬的 Han：
IGBT 的开关速度通常已经足够慢、以避免 VCE 过冲。 MOSFET 和 SiC FET 等开关速度更快的器件更常需要此电路。
该电路依赖于集电极和栅极之间的齐纳二极管。 很难找到一个额定电压与试图保护的 IGBT 一样高的齐纳 TVS 二极管。 这将防止您使用 IGBT 的整个高压范围。 如果目标是在过压情况下将所有功率消耗到0V、则可以改用 SCR。
我不建议放置这种 TVS 电路来实现 MOSFET 的正常 TVS 保护、因为保护仍依赖于 FET 的导通、这会增加保护的传播延迟、而且在重新关断 FET 时效率低下。 相反、直接与开关并联的 TVS 二极管将提供超快的瞬态电压钳位和超小的击穿、从而实现正常运行。
保护栅极的 VGE TVS 二极管是一个很好的补充、因为12V 至20V 很容易找到齐纳电压范围。
此致、
Sean
