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[参考译文] BQ24172：电源管理论坛

admin
Guru**** 2386620 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1505386/bq24172-power-management-forum

器件型号：BQ24172

工具/软件：

问题描述

根据下面的原理图、根据计算公式电流、设计充电为1.375A、但实际测量值约为1.5A。

思考

继续查看数据表、我们发现以下说明。 理论计算： 原理图上的 VSRP-SRN=13.75mV。

但是、下图中找不到相应的偏差。 -XX%～XX%

问题。

要计算快速充电电流、我是否需要考虑[充电电流调节精度]的偏差系数。但是、该系数未反映在公式中。

如果需要考虑该系数、那么当 VSRP-SRN 等于其他值时、偏差应该是多少？

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    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jie：

    充电电流精度主要是 VSRP-VSRN 的函数。  但是、Kiset 具有数据表未提供的一些变化。 为了提高精度、您可以将检测电阻的尺寸从10m Ω 增加、但会降低效率。  该关系接近线性、因此您可以根据上述数据表值线性内插精度与 VSRP-VSRN 之间的关系。  例如、如果您需要+/-4%的精度、请选择 Rsense = 40mV/1.375A = 29m Ω。   

    此致、
    Jeff

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    TI__Guru**** 2386620 points
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    尊敬的 Jeff：

    感谢您的答复。

    由于 GND 上的噪声、我们发现了合理性。  

    顺便说一下、由于该芯片需要在布局中划分为 GND、因此它们是 P-GND 和 GND。

    请告诉我为什么需要在此处进行接地分频、以及在布局设计中使用相同焊盘会产生什么负面影响。

    此致、
    Lu Jie

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    TI__Guru**** 2386620 points
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    尊敬的 Lu：

    接地噪声会影响 xset 引脚设定点、RAC 和 RSNS 电流检测和 TS 引脚的精度。  只要 PVCC、SRN、REGN 电容器 GND 远离其他接地端、就不必对接地进行物理隔离(在 IC GND 引脚或电源板上重新连接)。  此外、脉冲 SW 和 BTST 节点布线也必须远离。  EVM 提供了一个合理的布局示例。

    此致、

    Jeff