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[参考译文] LM5116:MOSFET 故障

Guru**** 2386600 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5116
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1505163/lm5116-mosfet-failure

器件型号:LM5116

工具/软件:

您好、

我正在研究使用 LM5116控制器的同步降压转换器设计。

设计在高侧和低侧均使用两个并联 MOSFET。 大多数情况下、设计工作正常。 但是、有时其中一个高侧 MOSFET 会发生短路。 开关节点波形看起来干净。  器件的温度似乎正常。

导致此问题的可能原因是什么?如何解决?

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    您好、Aksa  

    我想 MOSFET 温度会引发该问题。 启动期间、BOOT 电容器可能未充满电。 此外、自举电容器电压可能不足以完全增强两个高侧 MOSFET。 如果由于 MOSFET 未完全增强而导致该问题、则阈值更高的 MOSFET 会比另一个更早受到损坏。 如果 MOSFET 未得到完全增强、则 MOSFET 温度会随着负载而过度升高。

    - EL  

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    感谢您的快速答复。

    我观察到 MOSFET 温度保持在正常限值范围内。

    增加自举电容值是否有益? 或者、我是否应该在 Vccx 上使用12V 外部电压?  

    非常感谢

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    您好、Aksa  

    是的、请增大 CHB。 另外、 请下载快速入门 Excel 文件并在"Bill of Materials"选项卡上检查 CHB 要求。  

    外部 VCC 也是一个不错的 选择、因为该器件必须总共驱动4个 MOSFET、但请通过二极管将外部电源连接到 VCC 引脚。  

    在 HB 和 SW 之间连接8V 电池、并检查是否有任何改善。  

    - EL