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[参考译文] BQ25703A：应用问题

admin
Guru**** 2482145 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25703A

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1503172/bq25703a-application-issues

器件型号：BQ25703A

工具/软件：

你(们)好

当使用 BQ25703A 以20V 输入和8V 输出的降压模式为电池充电时、两个 MOS 晶体管的 G 极波形没有异常；如果是升压模式、5V 输入、8V 输出且两个 MOS 晶体管的 G 极重叠、如何解决这种情况、因为上部晶体管；上存在平台电压

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    TI__Guru**** 2482145 points
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    您好、钟先生、

    负责支持此器件的应用工程师目前不在办公室、明天是 TI 的假期。 他将于下周返回、为您答疑解惑。

    感谢您的耐心。

     

    此致、

    基督教

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    TI__Guru**** 2482145 points
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    您好、Susan、

    如果绘制出顶部和底部 FET 的 VGS、则不会看到任何重叠。 在此、我没有看到任何死区时间问题。  

    顶部 FET 的 VG 会误导用户、由于 VSW 节点电压、其电平无法快速降低到接地电平。  

    此致、

    Tiger

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    TI__Guru**** 2482145 points
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    嗨、Tiger

    非常感谢您的回答。 我还有一些问题要问

    ）μ s 我重新测试了上下 MOSFET 的 VGS 电压、发现上下 MOSFET 关断和导通的死区时间是不对称的、如图1和图2所示。 这种不对称的原因是什么？

    2）2)如果通过配置寄存器来增加死区时间、会有什么影响？ 我知道、由于底部 FET 中的寄生二极管、这会增加功耗

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    TI__Guru**** 2482145 points
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    您好、Susan、

    您的测量可能不正确。 您是否获得了与 TI EVM 相同的效率？

    此致、

    Tiger