[参考译文] 快速回顾

您好 Craig：

总的来说、原理图的主要部分看起来不错、我有以下几点评论：

建议使用一定量的大容量输入电容。 除了原理图中的小型旁路电容器之外、数据表还建议至少使用10uF 或22uF 的陶瓷电容器。 由于直接位于上游的3.3uH 电感器相对较大、因此可能还需要更大的大容量电容。

由于使用了低 ESR 陶瓷输出电容器、因此 R58上可能需要前馈电容器。 是否需要 FF 电容器将取决于稳定性性能、因此在这种情况下、建议至少为一个焊盘添加一个焊盘。

数据表中需要一个可选的1 Ω 至10 Ω 电阻器与 VOUT 的偏置连接串联、以及一个从 BIAS 到靠近引脚的 GND 的1uF 或更大的旁路电容器。 虽然不需要添加这些元件、但如果有可用的布板空间、则可以添加这些元件进行噪声滤除以实现偏置。  

D16的用途是什么？ 我不确定它的功能。 我认为、对于低电流应用、不会超出额定直流功率、但通过该二极管向 PVIN 添加大容量电容可能有助于出现功率尖峰。

我没有检查器件输出端(C16、L6、C17和 C18)上的 π 型滤波器、因为它放置在反馈路径之外应该可以尽可能减少对器件功能的影响。

谢谢、

Andy

您好、Andy：

感谢您的仔细审查、我将添加可选的前馈电容器和更多的大容量电容。  老实说、我添加了上游电感器作为输入滤波器、忘记了额外的上游大容量去耦现在已被添加的电感器隔离、因此当您指出时、我将在 PVIN 侧添加更多电感器。

我还将按照您的建议添加偏置引脚滤波器。

对于 D16、之所以增加该电压、是因为我们的输入电压可高达34V、这会超出32V 的最大 PVIN。  就额定功率而言、我们的最大负载为8V @ 0.3A = 2.4W。  假设效率为85%、降压稳压器消耗的功率应低于2.9W。  在18V 的最小输入电压下、输入电流将为157 mA。  齐纳功率耗散将小于0.62W。  我想我已经把它降额了。  您仍然看到问题吗？

谢谢、

Craig

您好 Craig：

感谢您详细介绍 D16。 我以前没有看到使用过此解决方案。

虽然我没有看到这种方法有任何明显的问题、但我们通常会实施32V 齐纳 +电阻器连接到 GND 钳位以限制电压。 或者由电阻器、齐纳二极管和 BJT 组成的简单分立式 LDO 可提供一些预稳压功能( 有关设计分立式 LDO 的更多详细信息、请参阅 SSZTC40)。

用于输入和输出滤波器的电感器也比我通常看到的大得多、由于输入端具有额外的大容量电容、我认为这不应该是个问题、但除非上游稳压器噪声极大、否则可能不需要在 PVIN 上使用足够大的滤波器。 下游组件是否对噪音非常敏感？ 使用此原理图时的电压纹波不应极端、如果需要、通常可以使用铁氧体磁珠 π 型滤波器来阻断开关噪声。

谢谢、

Andy