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[参考译文] LM5117:驱动器实际栅极峰值电流

Guru**** 2478765 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5117

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1509814/lm5117-driver-real-gate-peak-current

器件型号:LM5117

工具/软件:

在 CC/CV 直流/直流转换器项目中、我需要将2个 MOSFET 并联以管理更多电流、并且需要非常高的峰值电流才能快速为两个栅极充电、因此我选择 LE LM5117、因为它具有2.2安培的栅极峰值电流。   

阅读数据表我 得知 VCC 稳压器可以向 VCC 引脚提供最大30mA (典型5.8mA)电流。
VCC 引脚上有7.6V 的电压、30mA 最大电流可为 HO 驱动器和 LO 驱动器供电。

问题是:如果 MOSFET 栅极的电源仅可提供30mA、驱动器如何向 MOSFET 栅极提供2.2A 或3.3A?   

它们是否可能从 Cvcc 电容器获得峰值能量?

在上表中、HO 驱动器的峰值拉电流为2.2A、条件为"VHO=0V"和"VSW=0V"、但这种情况将对  QH N-MOS (Vgs=0)进行去极化、驱动器电流将处于"灌电流"模式…… 很抱歉、但我不明白。
"灌电流"条件也是如此:灌电流应该是当电流从栅极电容流向驱动器端口时... 但在"VHO=VHB=7.6Vols"的情况下、这是不可能的。

您能解释一下什么是逻辑吗?

您能否确认一下、在栅极充电期间、MOSFET 栅极中的峰值电流约为2.2A?

谢谢您、
Michele Faini

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Michele  

    是的、您的理解是正确的。 峰值拉电流由 CVCC 和 CHB 电容器提供。  

    测试条件正确。 请假设和 LO 引脚与 MOSFET 栅极之间有一个10mΩ 电阻器、我们在 MOSFET 栅极短接至地后在~ 100ns 内测量峰值 LO 拉电流。 在该100ns 期间、LO 为7.6V 、但栅极电压为0V。    

    我确认 2.2A 是峰值拉电流。 请注意、MOSFET 驱动器无法长时间提供2.2A 峰值电流。 如果7.6A CVCC 电压下降、峰值电流将下降。 如果 MOSFET 栅极电压大于0V、峰值电流也会下降。   

    - EL

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    好的、Eric、现在一切都很清晰! 在测量期间、条件被强制在外部执行!


    另一个问题:由于可以从外部电源为 VCC 引脚供电、在您看来、外部"强"7.6V 电源是否可以帮助我更好地将多个并联 MOSFET 的栅极极极极极极化?


    当总栅极电容器较高(10nF 或更高)时、此方法是否也可以加快栅极充电?


    如果我使用强大的电源、HO 和 LO 驱动器输出是否会承受更大的应力(并可能产生衰减)? 我是否可以采取一些 预防措施来避免驾驶员失窃?  

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    您好、Michelle

    外部7.6V 可帮助内部 VCC 稳压器驱动多个 MOSFET、这需要超过30mA MOSFET (min)的 VCC 电流、但不有助于提高其峰值拉电流/灌电流。  

    不、没有什么帮助。 为了增加峰值拉电流/灌电流、必须提供大于7.6V 的外部电源。

    不要在 VCC 引脚上提供超过14V 的电压。  

     

    提供 VIN 后提供外部 VCC 电源。 VIN 引脚电压应始终大于外部电源电压。

    - EL  

     

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    谢谢 Eric、

    我想我将使用外部电源来帮助 MOSFET 的栅极充电。
    在数据表中、当 Vout > 14.5V 时、建议使用此电路:

    很抱歉、我还有最后一个问题:


    1)我是否必须通过 VCCDIS 控制关闭内部稳压器、或者它必须打开?

    2)使用此电路,我认为 VCC 电源将在 VIN 后自动施加, 不是吗?

    2)大约30K 欧姆电阻器,它是否放置在 LM5117芯片内?

    1) R1是限制齐纳二极管电流所必需的。 为了保护芯片、您建议使用多大的限制电流? 我想它取决于 Izener_max ...  

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    你好、Michele

    1)不,你不需要。  

    2)不完全是、外部 VCC 将在施加 VIN 之后以及通过 UVLO 启用器件之后施加。  

    3) 30k Ω 不是电阻器内部的真实电阻器。 它表示 IC 的电流消耗量。  

    4)是的,你是对的。 最坏情况下 I齐 纳二极管将为(14.5-7.6V)/R1  

    - EL  

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    感谢您的解释。
    祝你度过美好的一天!

    Michele

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    感谢选择 TI。 如果您有任何疑问、请随时与我们联系。
    - EL