主题中讨论的其他器件:INA237、BQ76972、 BQ76940、BQ76942
工具/软件:
1.阐明 CC 增益公式
我们使用的是 0.25 mΩ 的分流电阻值 、需要说明 要在校准寄存器中编程以进行电流调节的相应 CC 增益值。
数据表与应用手册差异:
我们 根据用例看到两种不同的计算 CC 增益的公式:
- 对于内部库仑计数(AFE PassQ):
mΩ Gain = 7.4768/Rsense (m Ω)
示例(0.25 mΩ):
CC 增益 = 7.4768/0.25 = 29.9072 ( 根据 需要进行四舍五入)
- 对于外部集成(基于 MCU):
Ω 增益= 20,000/(Rsense (m Ω) × 32767)
示例(0.00025 Ω):
μV 增益= 20,000 /(0.00025 × 32767)≈2442.7 μ A/LSB
问题:
- 您能否确认这两个公式均有效、但 适用于不同的集成策略 (内部还是外部)?
μV 是否仅在依赖于 PassQ/内部集成的情况下使用基于7.4768的公式、而 仅在通过 CC2从外部读取电流的情况下使用2443 μ A/LSB 值?
2.澄清库仑计数比较:内部与外部
我们正在 使用 CC2数据评估是使用内部电荷积分功能(PassQ)还是在 MCU 中执行外部库仑计数。
电流理解总结:
功能/方面 |
外部(CC2) |
内部(通过 CC1获得 PassQ) |
采样源 |
CC2 (实时、快速更新) |
CC1 (滤波、缓慢更新) |
更新速率 |
每3ms (FASTADC 中为1.5ms) |
每250ms 一次 |
效率较低 |
内部24位(报告16位) |
16位 |
集成位置 |
代替 |
AFE 固件 |
复位方法 |
由 MCU 处理 |
RESET_PASSQ () 命令(0x0082) |
更低的功耗 |
较高(FASTADC) |
降低 |
脉冲负载的精度 |
高电平 |
受限于滤波器平滑处理 |
易于实施 |
复杂(MCU 侧集成) |
简单(内置充压蓄能器) |
问题:
- 我们的比较在性能和用例适用性方面是否准确?
- PassQ 中是否有其他隐藏的优点或限制、我们应该了解这些优点或限制?
对于需要高速 SoC 跟踪(快速负载变化)的系统、是否 明确建议进行外部集成?