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[参考译文] CSD19535KTT:CSD19535KTT

Guru**** 2381970 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1512417/csd19535ktt-csd19535ktt

器件型号:CSD19535KTT

工具/软件:

您好、

我需要 MOSFET 驱动 FET 损耗计算表中的帮助。 在该工作表的用户输入页面中、给出了第25行- RDS (on)的 TemperatureCopyright。 您能告诉我如何取该温度值、或者从哪里取该线的温度值。

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    您好 Divyaa、

    再次感谢您关注 TI FET。 连接到 FET 凸片的热电偶通常用于测量采用 D2PAK 封装的 TI FET 的温度。 该温度用于估算 RDS (on)、因为它具有正温度系数、如数据表图8所示。 由于 FET 的自发热、这通常会高于环境温度。 如果您不知道温度或无法测量温度、则可以使用估算值。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    目前我们无法测量温度。 请提供 RDS (on)或归一化导通状态电阻的温度估算。

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    尊敬的 Divyaa:

    我从我发送给您的电子表格中的50°C 开始。 您可以在电子表格中轻松更改此设置、以查看对 MOSFET 导通损耗的影响。

    谢谢、

    John