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器件型号：LM5116 工具/软件：
您好：
我正在努力使用 LM5116MH/NOPB 控制器优化降压转换器电路的 EMI 行为。 Vin 介于58V……80V 和 Vout=48V 之间的电压 Pout：0W...550W。 遗憾的是、我们用于 1个 低侧和2个高侧 MOSFET 的外部栅极电阻存在问题。
根据 LM5116数据表(第9页和第10页)、我们可以 使用 大约3的驱动器拉电流。 在 Vcc=12V 时 LO 为3.2A、HO 为1.8A、HO 为2.9A、LO 为6.8A 的驱动器灌电流。
需要以非常快的速度关断并以稍慢的速度导通、以避免在开关过程中出现高振铃振幅。 我们希望避免使用不同的外部栅极电阻器、例如数据表第21页显示的典型应用、但这并不意味着您始终会用 Q1和 Q2 (Si7850)的峰值栅极电流过驱 LM5116内部栅极驱动器？
也许有一种在不添加栅极电阻的情况下驱动外部开关 MOSFET 的说明、我不知道吗？
此致
Dirk。
