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器件型号：BQ500101 工具/软件：
我尝试确定 应用中涉及 VIN 引脚的电路的总损耗、例如 FET 的开关损耗和传导损耗。 我的工作点也低于图3所示的1A、因此我尝试收集可以尝试推断出的数据、并推断出任何有用的信息、例如 Rds_on。
查看图3时、曲线显示为二次曲线、这对我来说很有意义、因为导通损耗将相对于 IOUT 呈二次上升、但公式1指出、图3中的曲线是通过功率损耗=(VIN x IIN)+(VDD x IDD)–(VSW_AVG x IOUT)获得的、它与 IOUT 呈线性关系。 公式1还会减去开关损耗项、而不是加上该项、这对我来说也没有意义。 图3中的图表明、功率损耗随 IOUT 增加(这一点非常合理)、但公式1指出该减小幅度。 我已经了解了其他 NexFET 产品、它们都出现了同样的问题。
是否可以提供一种方法或信息来计算电桥电路中的损耗(例如 Rds_on、上升/下降时间、栅极电荷、开/关延迟时间等)？ 可以澄清图3和公式1之间的差异吗？
