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[参考译文] TPS7B69-Q1:TPS7B6950QDBVRQ1

Guru**** 2287980 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1517448/tps7b69-q1-tps7b6950qdbvrq1

器件型号:TPS7B69-Q1

工具/软件:

尊敬的 TI 支持团队、

我 之前创建了案例 CS2614626、但仍有一些问题需要与您联系。  

下面介绍了我的请求。

我们进行了一项测试、当我们将24V 电压连接到125°C 以下的点时、我们测得 B 点的电压为8V。 我们检查了125°C 下二极管的反向漏电流为2mA、因此24V 将流过二极管并上拉 B 点的电压电平。我们尝试在125°C 下用4uA 反向电流替换二极管、以进行电池短路测试、并且 LDO 输出没有问题。 因此、如果我们知道 LDO 反向漏电流的能力、便支持我们进行二极管选择。  

你上次给了我下面的答复。

它确实有所帮助、非常感谢。 但我们无法选择合适的二极管来限制流入 LDO 的反向电流。 是否可以帮助进行测试或仿真以获得 LDO 反向电流能力? 请帮助进行检查、如有任何不清楚的地方、请告诉我。 谢谢。

嗨、Pengpeng、

如我之前的电子邮件中所述、该器件的最大输出电压为7V。 因此、将 LDO Vout 设置为8V 可能会损坏器件、因此测试结果与预期不一致。

反向漏电流和静态电流是两个独立的电流路径。 您无法使用随附的图来确定漏电流。

检查后、该器件没有内部反向电流保护、我们不规范最大反向漏电流。 一条良好的经验法则是将其限制在 Iout 的5%以下、即7.5 mA。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Pengpeng、

    请提供 VCC 的值。 如果 VCC < VOUT (本例中为8V)、则反向电流将流过 LDO 中导通 FET 的体二极管。 在这种情况下、我们建议将反向电流限制在 IOUT (7.5 mA)的5%以下。 如果 VCC > VOUT、则反向电流将流经器件内部的下拉电阻器、您可能能够灌入更多电流。  

    但是、VOUT 的绝对最大值仍为7V。 因此、请确保不违反此等级。

    此致

    Ishaan

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    尊敬的 Ishaan:

    感谢您分享这些信息。  

    VCC 为7.5V、因此反向电流将流过 LDO FET 中的 BODE 二极管。  但是、由于发生此问题、您提供的7.5mA 的值要大得多 2mA 反向电流基于二极管规格。 4uA 反向电流不会出现问题。 但是、具有4uA 反向电流(低于125°C)的二极管很难选择元件。 那么、您能否帮助您检查是否还有其他方法(例如测试或仿真)、以便为 LDO 提供更准确的反向电流能力? 谢谢。   

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您是否能够指定反向电流为100uA 的二极管? 如果是、这将很容易在器件的限制范围内、并为您提供良好的元件选择。