[参考译文] BQ24610：BQ24610 -电池转换期间的低侧 FET 和 IC 损坏

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1516750/bq24610-bq24610---low-side-fet-and-ic-damage-during-battery-transition

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BQ24610 -电池转换期间的低侧 FET 和 IC 损坏

尊敬的 TI 支持部门：

我们目前正在开发采用 BQ24610电池充电器 IC 的系统、但遇到了关键问题。 在从充电模式到电池供电模式的转换期间、由于低侧 FET (当前使用 CSD18543Q3Q)和 BQ24610 IC 本身损坏、系统会持续发生故障。 我们应用中使用的电池电压为18V。

在一种情况下、我们还观察到电流检测电阻器上存在灼伤痕迹。 这些故障一再发生、阻碍了我们在大规模生产方面的进展。

从我们的分析和参考数据表、我们怀疑这个问题可能与 DCM 模式下的同步整流行为有关、其中80ns 低侧 FET 短暂导通会导致负电感器电流和电压过冲、从而可能损坏 IC 或相关元件。

为了解决这个问题、我们考虑增加输入 RC 滤波器、用于 VCC 保护的 TVS 二极管、并重新评估布局。 但是、我们希望您提供以下方面的专家建议：

1. 防止此类损坏的推荐保护技术。

2. 在这些条件下、我们选择的低侧 FET 是否合适。

3. 可缓解这些问题的布局指南或成熟的参考设计。

随着我们的生产截止日期即将到来、我们还想询问是否可以安排电话会议或现场技术支持、以便进一步讨论。

期待您的及时回复。