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[参考译文] LM5146-Q1:如何连接 VCC、PGOOD。 可以在外部 FET 中添加栅极/G-S 电阻器吗?

Guru**** 2468460 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5146-Q1, LM5145-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1516718/lm5146-q1-how-to-connect-vcc-pgood-and-is-it-okay-add-gate-g-s-resistor-in-external-fet

器件型号:LM5146-Q1
Thread 中讨论的其他器件: LM5145-Q1

工具/软件:

尊敬的 TI

我在 LM5146-Q1中设计了24V 至12V 电路。  

VCC 引脚连接

在评估板原理图中、VCC 引脚连接到 OUT (12V)。  
但在数据表中、VCC 是生成7.5V 电压的内部稳压器。  

它在这方面是否有任何优势?  
在数据表中、一些效率会更好、但我认为将 NC 保留为 VCC 是可以接受的。  

如果 VCC 无法连接到任何地方、是否可能出现工作错误或严重问题??  


2. PGOOD

在评估板原理图中、它通过上拉电阻连接到 VCC。  
如果我不需要 PGOOD 功能、是否可以在 PGOOD 引脚中保持 NC??  

3.在外部 MOSFET 中添加稳定电阻  

在评估板中、外部 MOSFET 周围没有任何电阻器。  
但大约10 Ω 的栅极电阻有助于避免浪涌电流或控制开关频率。  
栅极和源极之间大约10K Ω 的电阻可以分散栅极上的电并防止自举损耗。  

我想在电路上进行此操作、是否可以如下所示使用?  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Hyojin。

    [报价 userid="655400" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1516718/lm5146-q1-how-to-connect-vcc-pgood-and-is-it-okay-add-gate-g-s-resistor-in-external-fet

    VCC 引脚连接

    [/报价]

    VCC 引脚-正如您正确指出的、是7.5V 稳压器输出。 LDO 从 Vin 输入生成稳定的输出。 但是、如果有外部辅助电源连接到该引脚(低于该引脚的绝对最大值)、则 IC 内的功耗会降低、因为它必须从外部辅助电源而不是高压 Vin 降压。  

    如 需更多信息、请参阅数据表中的8.3.3高压辅助电源稳压器(VCC)。  

    如果您不想使用外部偏置选项-不建议将引脚保留为 NC。  在1 µF 和5 µF 之间的 VCC 和 AGND 之间连接一个陶瓷去耦电容器、以实现稳定性

    [报价 userid="655400" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1516718/lm5146-q1-how-to-connect-vcc-pgood-and-is-it-okay-add-gate-g-s-resistor-in-external-fet

    2. PGOOD

    [/报价]

    是的、您可以将其保持开路或在不使用时将其连接到 GND。

    [报价 userid="655400" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1516718/lm5146-q1-how-to-connect-vcc-pgood-and-is-it-okay-add-gate-g-s-resistor-in-external-fet

    3.在外部 MOSFET 中添加稳定电阻  

    [/报价]

    是的、您可以在设计中添加栅极电阻器、并在设计中添加栅源电阻器。

    但请注意、这些是电路中的损耗元件、会增加功耗、并使设计效率更差。 我建议您仅在必要时使用。 我看到多个设计在不使用这些电阻器的情况下运行良好(包括 EVM)。  

    谢谢、

    此致、

    Taru

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    添加 Taru 刚才提到的内容、在低侧 FET 栅极上放置一个电阻器是一个不好的主意(会导致 Cdv/dt 击穿)。 该 EVM 有一个与引导电容器串联的2.2Ω 电阻器-这足以在需要时控制高侧 FET 开关。

    PS:如果 Vin 仅为24V、则可以使用 LM5145-Q1 (额定输入电压为75V)而不是 LM5146-Q1 (100V)。 此处可能不需要100V FET (60V 或80V 可能就足够了)。

    --

    Tim