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器件型号：BQ76972 工具/软件：
1.阐明 CC 增益公式
我们使用的是0.25 mΩ 的分流电阻值、需要说明要在校准寄存器中编程以进行电流调节的相应 CC 增益值。
数据表与应用手册差异：
我们根据用例看到两种不同的计算 CC 增益的公式：
- 对于内部库仑计数(AFE PassQ)：
mΩ Gain = 7.4768/Rsense (m Ω)
示例(0.25 mΩ)：
CC 增益= 7.4768/0.25 = 29.9072 (根据需要进行四舍五入)
- 对于外部集成(基于 MCU)：
Ω 增益= 20,000/(Rsense (m Ω)× 32767)
示例(0.00025 Ω)：
μV 增益= 20,000 /(0.00025 × 32767)≈2442.7 μ A/LSB
问题：
- 您能否确认这两个公式均有效、但适用于不同的集成策略(内部还是外部)？
μV 是否仅在依赖于 PassQ/内部集成的情况下使用基于7.4768的公式、而仅在通过 CC2从外部读取电流的情况下使用2443 μ A/LSB 值？
2.澄清库仑计数比较:内部与外部
我们正在使用 CC2数据评估是使用内部电荷积分功能(PassQ)还是在 MCU 中执行外部库仑计数。
电流理解总结：
|
功能/方面 |
外部(CC2) |
内部(通过 CC1获得 PassQ) |
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采样源 |
CC2 (实时、快速更新) |
CC1 (滤波、缓慢更新) |
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更新速率 |
每3ms (FASTADC 中为1.5ms) |
每250ms 一次 |
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效率较低 |
内部24位(报告16位) |
16位 |
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集成位置 |
代替 |
AFE 固件 |
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复位方法 |
由 MCU 处理 |
RESET_PASSQ ()命令(0x0082) |
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更低的功耗 |
较高(FASTADC) |
降低 |
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脉冲负载的精度 |
高电平 |
受限于滤波器平滑处理 |
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易于实施 |
复杂(MCU 侧集成) |
简单(内置充压蓄能器) |
问题：
- 我们的比较在性能和用例适用性方面是否准确？
- PassQ 中是否有其他隐藏的优点或限制、我们应该了解这些优点或限制？
对于需要高速 SoC 跟踪(快速负载变化)的系统、是否明确建议进行外部集成？
