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[参考译文] LM7480-Q1:仿真支持

Guru**** 2427060 points
Other Parts Discussed in Thread: LM74900-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1515722/lm7480-q1-simulation-support

器件型号:LM7480-Q1
主题中讨论的其他器件:LM74900LM74900-Q1

工具/软件:

您好的团队、

我正在仿真 LM74800、以评估其在反向电流条件下的行为。

为了重现这种情况、我使用了 PWL 电流源作为负载、将负电流注入回。 不过、我已经观察到、在使用 PWL 源端时、MOSFET 的行为似乎不切实际、我知道这可能是由于收敛或建模限制造成的。

您能指导我如何在这种情况下准确地模拟反向电流行为?

      

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    你好、Sushma、

    这可能是因为存在趋同问题。 最好使用开关而不是注入电流来增加输出电压。

    此致、

    Shiven Dhir

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    感谢 Shiven 的答复。

    我使用脉冲电流来观察负电流条件下的行为。

    &我观察到、当我使用 LM74900时、Q1 V_GD 波动、而当我使用 LM74800时、它在相同的负载下工作正常。

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    你好、Sushma、

    LM74800和 LM74900中 Q1_VGD (黄色)的响应类似。您能解释一下吗?

    但需要注意的是、预计栅极电压会随着负载的增加而增加。

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Shiven:

    是的、随着负载的增加栅极电压是可以的。

    但 LM74900中的波动不清楚、为了清晰起见、我仅附加 VGD 波形

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    你好、Sushma、

    您正在使用哪个软件?

    此致、

    Shiven Dhir

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    我使用的是 PSpice

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    你好、Sushma、

    这是 LM74900-Q1上 PSpice 建模中的干扰。 请忽略它。

    此致、

    Shiven Dhir