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器件型号：LM74704-Q1 工具/软件：
尊敬的 Shiven：
您能否解释一下或者发送一个图表来说明栅极电压的具体行为取决于 N-FET 通道的 VDS 电压？
我在新设计中使用该器件- 8节电池的电池充电板。 每个电池都具有该理想二极管、N-FET 连接到其输出电压轨上、用于在 V-BAT 与系统电压之间进行隔离。
我已经注意到、当8节电池中只有一节电池使用12V 电压、另一节电池大约使用10V 电压时、理想二极管会阻止其他电池向系统提供电流。 在这种情况下、栅极电压变得非常高-> 22V。 另一方面、当其他电池的电压变高且 V-ANODE 与 V-CATHODE 之差变小时、我看到栅极电压会大幅下降。
你能解释为什么会发生这种情况 吗?
Ohad
